ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計（11）〜回路の遅延時間を変動させるさまざまな要因：福田昭のデバイス通信（22）（2/2 ページ）

関連記事

• 電源から電力を取り出す逆転の発想とは？
  サーバ用電源では効率向上が強く求められている。富士通研究所は電源内部で発生する性質の異なった2種類の損失を防ぐために、それぞれ新規開発の技術を適用、94.8％の最高効率を実現した。特にトランジスタ内で生じるスイッチング損失を、一種の「回生回路」で再利用する取り組みが新しい。さまざまな機器の電源に応用できる。
• ルネサスが0.2V対応電源ICを開発し、電波によるエネルギーハーベスティングシステムを実現
  ルネサス エレクトロニクスは、電波エネルギーから電気エネルギーを取り出し、マイコンや温度センサーを駆動させるシステムを開発した。0.2Vという低電圧を昇圧する技術などの技術を盛り込んだ。
• FinFET以降の半導体製造技術はどう進む？ IBMの見解
  「Common Platform Technology Forum」において、IBMが半導体製造技術の将来展望について発表を行った。液浸リソグラフィによるダブルパターニング技術やFD-SOI技術に加え、カーボンナノチューブ、シリコンフォトニクス、ナノワイヤーなどのキーワードを交えて半導体製造の将来像や課題などが示された。
• 14nm FinFETへの移行は「難しい決断だった」――サムスン
  Samsung Electronics（サムスン電子）の最新スマートフォン「Galaxy S6」には、14nm FinFETを適用したプロセッサが搭載されている。同社は、14nm FinFETの生産量において、Intelに次ぐ第2位のポジションを確保したい考えだ。Samsung Semiconductorの幹部は、14nmプロセスへの移行を決断するのは、たやすいことではなかったと振り返る。
• TSMC、16nm FinFETのリスク生産を開始
  TSMCが16nmプロセスを適用したFinFETのリスク生産を開始した。開発スケジュールは予定よりも早く進んでいるようだ。今後は、AppleやQualcommなどが、新しい世代のFinFETの製造を、TSMCとSamsung Electronicsのどちらにどの程度発注していくのかが注目される。