Integrated Device Technology(IDT)は、エンハンスモードの窒化ガリウム(eGaN)FETで強みを持つEfficient Power Conversion(EPC)と提携した。両社は、eGaN技術とシステム化のノウハウを持ち寄り、通信・コンピュータやワイヤレス給電、RF回路に向けた高速で高効率の半導体デバイス製品を共同開発していく。
[馬本隆綱,EE Times Japan]
Integrated Device Technology(IDT)は2015年6月、エンハンスモードの窒化ガリウム(eGaN)FETで強みを持つEfficient Power Conversion(EPC)と提携した。両社は、eGaN技術とシステム化のノウハウを持ち寄り、通信・コンピュータやワイヤレス給電、RF回路に向けた高速で高効率の半導体デバイス製品を共同開発していく計画だ。
2つ目はワイヤレス給電に向けた製品である。A4WP(Alliance for Wireless Power)コンソーシアムプロトコルのワイヤレス電力伝送規格では、動作周波数が6.78MHzとなっている。高速かつ低損失スイッチング動作を可能とするGaNベースの素子を開発することで、有線による電源供給と同等の電力効率を実現することができるという。3つ目として、通信インフラ装置に向けたRFデバイス製品の共同開発を挙げた。
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