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» 2015年08月24日 10時00分 公開

SEMICON West 2015リポート(4):ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表(1)〜ArF液浸の限界 (2/2)

[福田昭,EE Times Japan]
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10nm世代でもEUVがArF液浸に比べて良好なパターンを形成

 ArF液浸リソグラフィとEUVリソグラフィを比較すると、重要な違いがもう1つ存在する。ニコンの講演でも指摘されていた、レイアウトのパターンとレジスト露光パターンのずれ(EPE:Edge Placement Error)である。

 Lercel氏は講演で、ArF液浸のトリプルパターニング(LELELE方式)とEUVのシングルパターニングを第1層金属配線のリソグラフィで比較したスライドを見せていた。縦48nmピッチ×横48nmピッチの最小ピッチで配線パターンを形成した事例である。両者のパターンは明確に違う。EUVのシングルパターニングによる配線パターンが、レイアウトのパターンに近い。ArF液浸のトリプルパターニング(LELELE方式)による配線パターンは、かなり劣る。

 この事例のロジック配線は、10nm世代に相当する。10nm世代でも、EUVリソグラフィが良好なパターンを形成しやすい。ArF液浸リソグラフィ(マルチパターニング)は、かなり無理をしていることが分かる。

photo 10nm世代のロジック配線を異なるリソグラフィ技術で形成した結果。左はArF液浸のトリプルパターニング(LELELE方式)で形成したもの。右はEUVのシングルパターニングで形成したもの。EUV露光装置には、ASMLが開発した装置を使用した(クリックで拡大)

(次回に続く)

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