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ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演（2）～解像度と位置合わせ、生産性：SEMICON West 2015リポート(9)（1/3 ページ）

今回は、ナノインプリント・リソグラフィを構成する要素技術の開発状況をお伝えする。ここ1年でとりわけ大きく進歩しているのが、重ね合わせ誤差と生産性（スループット）だ。重ね合わせ誤差は半分～3分の1に低減し、スループットは2倍～3倍に向上しているという。

» 2015年09月08日 09時00分公開

[福田昭，EE Times Japan]

11nm幅の直線群や14nm径の孔などを解像

　前回より、キヤノンがナノインプリント・リソグラフィ技術の開発状況を講演した内容をご紹介している。講演タイトルは「Nanoimprint System Development and Status for High Volume Semiconductor Manufacturing」、講演者はキヤノンの米国子会社Canon Nanotechnologiesでマーケティングおよび事業開発担当のバイスプレジデントを務めるDouglas J. Resnick氏である。

　前回では、ナノインプリント・リソグラフィ技術の概要と特長、課題を解説した。またテンプレート開発の現状に関する講演の概要をご説明した。

　Resnick氏はテンプレート開発の現状を説明した後、ナノインプリント技術でどのくらい微細なパターンを解像できているかを具体的に示した。実際のパターンを電子顕微鏡で観察した写真をスライドで見せていた。

　1つは直線群のパターン（数多くの直線を同じ線幅と間隔で平行に配置したパターン）である。28nm幅のパターン、16nm幅のパターン、11nm幅のパターンを解像して見せた。もう1つは孔（ホール）のアレイまたは円筒（ピラー）のアレイである。直径25nmのホールのアレイと直径14nmのホールのアレイ、直径11nmのピラーのアレイを解像した結果である。きわめて微細なパターンをかなり明瞭に解像できていることが分かる。