ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演（4）〜「パーシャルフィールド」への対処：SEMICON West 2015リポート(11)（1/2 ページ）

露光領域数の約3割がパーシャルフィールド

　SEMICON West 2015リポートの第8回から、キヤノンがナノインプリント・リソグラフィ開発の状況を講演した内容をご報告してきた。講演タイトルは「Nanoimprint System Development and Status for High Volume Semiconductor Manufacturing」、講演者はキヤノンの米国子会社Canon Nanotechnologiesでマーケティングおよび事業開発担当のバイスプレジデントを務めるDouglas J. Resnick氏である。

　前回では生産性（スループット）と欠陥密度の関係を説明したほか、ナノインプリント・リソグラフィ技術には特有の課題「パーシャルフィールド」が存在することを指摘した。

　「パーシャルフィールド」とは、シリコン・ウエハーの周辺部では露光領域に対してウエハーの領域が不足し、実質的な露光領域が部分的（パーシャル）になるフィールドを指す。これは露光領域が長方形であるのに対し、ウエハーが円形であることが原因である。

　直径300mmのシリコンウエハーで、露光領域が横26mm×縦33mmであり、露光領域間の境界線（ストリート）が幅0.05mmだとすると、露光領域の総数は84カ所になる。その中で26カ所がパーシャルフィールド、残りの58カ所が露光領域全体をウエハーでカバーする領域（フルフィールド）になる。フィールド数の31％が、パーシャルフィールドだということだ。これは無視できない数だ。シリコンダイの収量を稼ぐためにはフルフィールドだけでなく、パーシャルフィールドも活用することが量産コストを下げる前提となる。

フルフィールドとパーシャルフィールド。露光領域が26mm×33mm、露光領域間の境界（ストリート）の幅を0.05mmとすると、直径300mmのウエハーでは84カ所の露光領域が存在する。その中で26カ所がパーシャルフィールドになる（クリックで拡大）

フルフィールドとパーシャルフィールド。左側はフルフィールド（上）とパーシャルフィールド（下）で充てん時間を1秒としたときにレジストが充てんされる様子（実際の講演は動画が埋め込まれていた）。右側は直径300mmのシリコン・ウエハー全体にインプリント技術でパターンを転写した後に撮影した写真（クリックで拡大）