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» 2015年11月11日 09時30分 公開

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(5):14/16nm世代のSRAMと第3の2Dデバイス材料 (2/3)

[福田昭,EE Times Japan]

先端SRAMの劣化特性がレイアウトで変化

 セッション11(回路とデバイスの相互作用)のテーマは「CMOSの微細化と回路/デバイスのばらつき」である。このセッションでは、SRAMの微細化に伴う課題を扱う講演が相次ぐ。

 ルネサス エレクトロニクスは8トランジスタのSRAMセル構造を微細なデュアルポートSRAM向けに検討した結果を報告する(講演番号11.1)。16nmのFinFET技術によってデュアルリードライト(2RW)のデュアルポート256KビットSRAMマクロを設計し、試作した。電源電圧0.5V、最小信号電圧120mVで動作を確認している。韓国のSamsung Electronicsは、BTI(Bias Temperature Instability)のばらつきが微細な大容量SRAMに与える影響を検討した(講演番号11.3)。具体的には、14nmのFinFET技術で128MビットのSRAMでトランジスタとメモリセル、回路性能に与える影響を調べた。

 SRAM以外では、長期信頼性のレイアウト依存性を見いだした研究成果が目立つ。中国のPeking Universityと米国のThe University of Texas at Austin、中国のSemiconductor Manufacturing International Corporation(SMIC)による共同研究の成果である(講演番号11.7)。BTIによる劣化とホットキャリア注入(HCI)による劣化でレイアウトによる違いが生じた。

セッション11の講演一覧
セッション11の講演一覧 セッション11の講演一覧(クリックで拡大)

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