14/16nm世代のSRAMと第3の2Dデバイス材料：福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー（5）（2/3 ページ）

先端SRAMの劣化特性がレイアウトで変化

　セッション11（回路とデバイスの相互作用）のテーマは「CMOSの微細化と回路/デバイスのばらつき」である。このセッションでは、SRAMの微細化に伴う課題を扱う講演が相次ぐ。

　ルネサス エレクトロニクスは8トランジスタのSRAMセル構造を微細なデュアルポートSRAM向けに検討した結果を報告する（講演番号11.1）。16nmのFinFET技術によってデュアルリードライト（2RW）のデュアルポート256KビットSRAMマクロを設計し、試作した。電源電圧0.5V、最小信号電圧120mVで動作を確認している。韓国のSamsung Electronicsは、BTI（Bias Temperature Instability）のばらつきが微細な大容量SRAMに与える影響を検討した（講演番号11.3）。具体的には、14nmのFinFET技術で128MビットのSRAMでトランジスタとメモリセル、回路性能に与える影響を調べた。

　SRAM以外では、長期信頼性のレイアウト依存性を見いだした研究成果が目立つ。中国のPeking Universityと米国のThe University of Texas at Austin、中国のSemiconductor Manufacturing International Corporation（SMIC）による共同研究の成果である（講演番号11.7）。BTIによる劣化とホットキャリア注入（HCI）による劣化でレイアウトによる違いが生じた。

セッション11の講演一覧（クリックで拡大）