ナノワイヤと非シリコン材料で「ムーアの限界」を突破：福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー（6）（3/3 ページ）

ナノワイヤのGeトランジスタと化合物トランジスタ

　セッション15（プロセス技術と製造技術）のテーマは「ムーアとモア（Moore and More）」である。ムーアの法則をさらに進めようとする「モア・ムーア（More Moore）」と、ムーアの法則とは別の方向に半導体デバイスを進化させる「モアザン・ムーア（More Than Moore）」の両方の研究成果が披露される。始めは「モア」に関連する講演を一部紹介する。

　台湾のNational Nano Device Laboratoriesなどの共同研究グループは、電流のオン/オフ比が10の8乗と極めて大きなGe pチャンネルMOSFETの開発成果を発表する（講演番号15.1）。Geナノワイヤチャンネルの周りをゲートで囲んだゲートオールアラウンド（GAA）構造のFETである。Geナノワイヤの表面を｛111｝方向にそろえたダイヤモンド形にすることで、サブ10nmの微細な構造で高い移動度を実現するという。

　シンガポールのNational University of SingaporeとNanyang Technological Universityの共同研究チームは、InAs層とGaSb層を交互に積層することで、InAsナノワイヤnチャンネルFETとGaSbナノワイヤpチャンネルFETのCMOS回路を実現する手法を報告する（講演番号15.4）。Si基板にSiO₂層、Ge層、GaAs/GaSbバッファ層を積み重ねた構造を作製し、その上にナノワイヤ層を積層した。実際にFETを試作し、動作を確認している。

　「モアザン」に関連する講演では、折り曲げ可能なCMOS回路の研究成果が発表される。フランスのIEMN（Institut d’Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie）を中心とする共同研究グループは、折り曲げ可能な基板にCMOS回路の薄膜を転写することで、高い性能を維持しながら折り曲げ可能な高周波CMOS回路を試作した（講演番号15.7）。初めにSOI基板に高周波CMOS回路を作製する。そして裏面をはく離することで、高周波CMOS回路を厚さ30μmにまで薄くし、別の基板（プラスチック、ガラス、あるいはステンレススチール）に転写する。転写後のRF CMOS回路は、小信号特性については劣化はあまり見られなかったという。

セッション15の講演一覧（クリックで拡大）

（次回に続く）

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