EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、次世代パワー半導体を用いたパワーエレクトロニクスの設計において重要なシミュレータについて解説します。
[EE Times Japan]
次世代パワー半導体ではシミュレータが不可欠に
アイティメディアがモノづくり分野の読者向けに提供する「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、次世代パワー半導体を用いたパワーエレクトロニクスの設計において重要なシミュレータについて解説します。
300mmウエハー対応のバンプ形成技術「IMS」
JSRと日本アイ・ビー・エム、千住金属工業の3社は2015年12月9日、半導体の高密度実装を可能にするはんだバンプの形成技術「IMS」を発表した。同技術は、2015年12月16〜18日に東京ビッグサイトで開催される「SEMICON JAPAN 2015」で展示される予定である。
IoT市場を支える4〜8インチ対応のFEB測長装置
日立ハイテクノロジーズは2015年11月、4〜8インチウエハーサイズに対応した高分解能FEB(Field Emission Beam)測長装置「CS4800」を開発したと発表した。CS4800は、2015年12月16〜18日に東京ビッグサイトで開催される「SEMICON JAPAN 2015」で展示される予定だ。