ルネサス、電力変換システム向け第8世代IGBT発表：75Aの単品パッケージ化を実現

　ルネサス エレクトロニクス（以下、ルネサス）は2016年3月10日、太陽光発電のパワーコンディショナーやUPS（Uninterruptible Power Supply：無停電電源）システムのインバーター向けに、第8世代IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲート型バイポーランジスタ）「G8Hシリーズ」のサンプル出荷を開始した。

　G8Hシリーズは、プロセス構造に独自に開発したトレンチゲート構造を採用。これにより、IGBT性能指標となるスイッチング損失と導通損失を低減し、性能指数を最大30％改善した。電力変換回路の多くを占めるIGBTの電力損失を大幅に削減できるという。

　また、高速スイッチング性能に伴うノイズの発生にも対応し、外付けのゲート抵抗を削減可能とした。保証温度は175℃で、高放熱特性のTO-247パッケージを採用している。

第8世代IGBT「G8Hシリーズ」 （クリックで拡大） 出典：ルネサス

　650V／40A、50A、75Aの3製品、1250V／25A、40A、75Aの3製品をラインアップ。従来、75A電流帯は熱やノイズ対策などの理由から、モジュールとして大きなパッケージが使用されていたが、「第8世代の低損失な小チップ化技術により、1250Vのダイオード内蔵のIGBTでは業界初の単品パッケージ化を実現した」（ルネサス）と語る。

　サンプル価格は、650V／50A品で330円（税別）。量産は2016年9月の開始を予定し、2017年3月には月産60万個を計画しているという。今後は、家電機器／産業用途向け製品や、同社のマイコンなどと組み合わせたソリューションを展開するとした。