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3D NANDフラッシュの競争は激化へ電子ブックレット

EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、Micron Technologyが「ISSCC 2016」で発表した68Gビットの3次元(3D)NAND型フラッシュメモリについて紹介します。

» 2016年04月14日 17時30分 公開
[EE Times Japan]
エンジニア電子ブックレット

3D NANDフラッシュの競争は激化へ

 アイティメディアがモノづくり分野の読者向けに提供する「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、Micron Technologyが「ISSCC 2016」で発表した、3ビット/セルのフローティングゲート方式を適用している68Gビットの3次元(3D)NAND型フラッシュメモリについて紹介します。

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3D NANDフラッシュの競争は激化へ

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Micron Technologyは「ISSCC 2016」で、3ビット/セルのフローティングゲート方式を適用した、768Gビットの3次元(3D)NAND型フラッシュメモリを発表した。読み出し速度は、800Mバイト/秒だという。3D NANDフラッシュの競争が激化することが予想される。【著:Rick Merritt】


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