20年論争決着、磁性半導体の強磁性示す仕組み解明：新たなスピントロニクス素子の開発を加速か（2/2 ページ）

「不純物モデル」では説明できず

　今回の実験結果から、p-dツェナーモデルではホールキャリアの存在を示すフェルミ準位の位置が、As結合軌道内にあることを明らかにした。逆に、As結合軌道が不純物帯の下に位置する不純物モデルでは、それを説明できないことも分かったという。

（Ga,Mn）Asの強磁性モデル 出典：東北大学

　研究グループは、（Ga,Mn）Asの強磁性の仕組みを実験的に解明できたことで、高機能化した磁性半導体材料の設計や、新たなスピントロニクス素子の開発を加速させるとみている。