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» 2016年09月21日 10時30分 公開

福田昭のデバイス通信(89):「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(JSR Micro編) (2/2)

[福田昭,EE Times Japan]
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5nm世代に向けた現状と課題

 そしてさらに先の世代である5nm世代のEUVリソグラフィに向け、目標仕様と現状を示した。目標仕様には「感度(平方センチ当たりの露光エネルギー)」「パターンの品質(LWRあるいはCDU)」「解像力(ハーフピッチ)」の3つの項目がある。ラインアンドスペース(L&S)とコンタクトホール(CH)のそれぞれについて、数値を提示した。

 L&Sの場合、解像力の目標仕様は13nmであり、既に達成しつつある。感度の目標仕様は20mJ以下で、現状の25mJからはさらに感度を高めなければならない。LWRの目標仕様は2.0nm以下である。現状のLWRである3.5nmとはかなり開きがあり、一層の改良が求められる。

 CHの場合、解像力の目標仕様は18nmであり、既に達成しつつある。感度の目標仕様は20mJ以下で、現状の45mJとは大きな開きがある。大幅な改善が望まれる。CDU(Critical Dimention Uniformity:パターン寸法の均一性)の目標仕様は2.0nmであり、現状の2.5nmはかなり良いところまで来ている。あと少しの改良が必要だ。

5nm世代のEUVリソグラフィに向けたレジストの課題。JSR Microの講演スライドから(クリックで拡大)

(次回に続く)

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