三菱電機がSiC-SBDを発売、ディスクリート品は初：電力損失を約21％低減へ

155Aの高サージ電流耐量を実現

　三菱電機は、SiC（炭化ケイ素）を用いたパワー半導体の新製品「SiC-SBD（Schottky Barrier Diode）」を、2017年3月1日から順次発売すると発表した。

　次世代パワー半導体として期待されるSiCを用いることで、PFC回路を内蔵した同社のパワー半導体モジュール「DIPPFC」に搭載するシリコンダイオードと比較し、電力損失を約21％低減。高速スイッチングも可能となり、リアクトルなど周辺部品の小型化に貢献するという。また、pn接合とショットキー接合を組み合わせたJBS（Junction Barrier Schottky）構造の採用により、155Aと高サージ電流耐量を実現した。

　同社は、SiC-SBDやSiC-MOSFETを搭載したパワー半導体モジュールを2010年から製品化してきたが、ディスクリート品の提供は初となる。同社担当者は「SiCパワー半導体モジュールは自社、他社製品に限らず、エアコンや産業機器、インバーターシステムなどに採用されてきた。その中で、エアコンや太陽光発電などの電源システムでは、以前からディスクリート品も求められていたことが今回の発表の背景にある」と語る。

SiC-SBD「BD20060S」 （クリックで拡大） 出典：三菱電機

　SiC-SBDとしては、2つの製品「BD20060T」「BD20060S」を発売する。両製品とも定格電流20A／定格電圧600Vで、サージ電流耐量は155Aとなる。順電圧は1.35V（25℃時）。BD20060Tのサイズは10.1×29.0×4.7mmで、TO-220パッケージを採用した。BD20060Sのサイズは15.9×41.0×5.0mmで、TO-247パッケージを採用している。

　BD20060Tは既に発売を開始したが、BD20060Sは現在サンプル提供のみであり、2017年9月1日の発売を予定する。いずれも、サンプル価格は1000円（税別）だ。