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» 2017年10月17日 10時30分 公開

福田昭のストレージ通信(83) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(4):試作された反強誘電体キャパシターの長期信頼性 (2/2)

[福田昭,EE Times Japan]
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10年間のデータ保持期間を外挿から推定

 NaMLabやドレスデン工科大学などの共同研究グループは、試作した反強誘電体キャパシターのデータ保持特性も測定した。測定温度は50℃と100℃である。いずれの温度でも、48時間まで測定したところ、目立った劣化は見られなかった。

試作した反強誘電体キャパシターのデータ保持特性。上は測定温度が50℃、下は測定温度が100℃の場合。縦軸は分極電荷量の相対値。横軸は時間(分)。出典:NaMLabおよびドレスデン工科大学(クリックで拡大)

 測定結果を外挿したところ、10年間のデータ保持期間が十分に達成可能だとの見通しを得ている。書き換えサイクル寿命の測定結果と併せ、研究室レベルではあるものの、不揮発性RAMとしての可能性が十分にあることを示している。

(次回に続く)

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