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インタビュー
» 2018年06月29日 12時10分 公開

自動運転レベル5対応を目指す:オンセミの車載事業、センサーとパワーの強みを生かす (3/3)

[馬本隆綱,EE Times Japan]
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ワイドバンドギャップ半導体、投資を加速

 パワー半導体は、EVやPHEV(プラグインハイブリッド自動車)向けに、電源ICやインテリジェントパワーモジュール、IGBT、パワーMOSFETなど幅広い製品を用意している。さらに今回、ワイドバンドギャップ半導体も新たに発表した。EV/PHEVにおけるトラクションインバーターや、オンボードチャージャ、DC-DCコンバーターなどの用途を想定している。

車載システム向けワイドバンドギャップ半導体のトレンドを示した図 (クリックで拡大) 出典:ON Semiconductor

 第1弾として発表したのは、耐圧が1200Vと同650VのSiCダイオード製品である。AEC-Q101に準拠した製品で、ゼロ逆回復や低い順方向電圧、高いサージ耐圧といった特長がある。今後、SiC-MOSFETやGaNパワー半導体なども順次製品化する予定である。

 ワイドバンドギャップ半導体事業では、先行するメーカーがあり、同社はどちらかといえば後発となる。そこで、開発や生産設備への投資を加速して、先行する競合メーカーを早期にキャッチアップする計画だ。

 Williams氏は、「SiCパワー半導体は、韓国富川市の工場で生産する。SiCウエハーの結晶成長から自社で行い、コスト競争力を高めていく。GaNパワー半導体は、eモード(ノーマリオフ)動作の製品を開発しており、ベルギーの工場で量産する計画だ。SiCと同様にウエハーの結晶成長から社内で行う」と話した。

 オートモーティブ事業の拡大に向けては、自動車メーカーとの連携を強化している。その1つが、AudiのPSCP(Progressive Semiconductor Program)に基づき、同社と戦略提携を結んだ。安全で利便性に優れ、環境に優しい近未来の自動運転車やEVを実現するための課題解決に取り組み、具現化するための半導体ソリューションを開発、提供する。

 これ以外の自動車メーカーに対しても、OEMビジネスデベロップメントグループが、ハイレベルの長期的な要求を直接ヒアリングしている。その上で、ソリューションエンジニアリングセンター(SEC)がシステムレベルの要求を理解し、デバイスレベルに落とし込み、顧客の要求に応えているという。日本市場でも、こうした体制を整えて事業拡大に取り組んでいる。

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