メディア
連載
» 2018年10月12日 11時30分 公開

福田昭のデバイス通信(166) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(26):化合物レーザーをシリコンにモノリシック集積する試み(前編) (2/2)

[福田昭,EE Times Japan]
前のページへ 1|2       

InGaAsの量子井戸レーザーをシリコン基板に作製

 この手法「アスペクト比トラッピング(Aspect Ratio Trapping)」を利用して、インジウム・ガリウム・ヒ素(InGaAs)の量子井戸(QW:Quantum Well)半導体レーザーを試作してみせた。シリコン基板の表面に二酸化シリコン(SiO2)の絶縁膜を形成して細長い溝を切る。この細長い溝を通してGaAsをシリコン基板表面から成長させる。GaAsの成長とともに発生した貫通転位は、溝の壁で成長が止まる。

 結晶欠陥が大幅に減少したGaAs層をバッファ層として使い、ガリウム・リン・ヒ素(GaPAs)層とInGaAs層の量子井戸構造を形成して発光層とする。

「アスペクト比トラッピング(Aspect Ratio Trapping)」を利用してInGaAsの量子井戸半導体レーザーをシリコン基板から直接、製造。左は構造図。中央は製造した半導体レーザーの断面を電子顕微鏡で観察した画像。左は発光モードのシミュレーション結果。出典:imec(クリックで拡大)

(後編に続く)

⇒「福田昭のデバイス通信」連載バックナンバー一覧

前のページへ 1|2       

Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

RSSフィード

公式SNS

All material on this site Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
This site contains articles under license from AspenCore LLC.