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» 2019年06月24日 10時30分 公開

福田昭のストレージ通信(152) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(13):抵抗変化メモリ(ReRAM)の製品化動向と製造コスト見通し (2/2)

[福田昭,EE Times Japan]
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ReRAMの製造コストはクロスポイント化でDRAMよりも低くなる

 Mark Webb氏は、ReRAMを含めた代表的な半導体メモリの製造コスト(記憶容量当たり)が将来どのように推移するかの見通しも示した。この見通しによると、3DXPointメモリとクロスポイント構造のReRAMは、製造コストがDRAMよりも低くなる。STT-MRAMの製造コストは急速に下がるものの、2020年の時点ではDRAMよりもまだ高い。

代表的な半導体メモリ製造コスト(記憶容量当たり、相対値)。出典:MKW Venture Consulting, LLC(クリックで拡大)

(次回に続く)

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