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三菱電機、インバーター用パワー半導体モジュール：低ノイズと低電力損失を両立

三菱電機は2019年8月、白物家電や産業用モーターのインバーター駆動用として小型パワー半導体モジュール「DIPIPM Ver.7」を発表した。

» 2019年08月28日 13時30分公開

[馬本隆綱，EE Times Japan]

従来品と比べ上限保証温度を25℃拡大

DIPIPM Ver.7の外観

　三菱電機は2019年8月、白物家電や産業用モーターのインバーター駆動用として小型パワー半導体モジュール「DIPIPM Ver.7」を発表した。2019年10月29日より発売する。

　新製品は、キャリア蓄積効果を利用した「CSTBT」構造の新型IGBTを開発し搭載した。これにより、従来のDIPIPM Ver.6と同等の低電力損失を実現しながら、低ノイズを達成している。これまで基板上に実装していたノイズ対策部品などを削減することができるため、インバーターの小型化や部材コストの節減が可能となる。

　新製品は上限保証温度も高めた。動作モジュール温度は最大125℃、接合温度は最大175℃である。この結果、インバーターシステムの放熱設計も自由度が増した。IGBTチップの接合部とケース間の熱抵抗は、従来に比べて約28％低減するなど、IGBTチップの温度上昇も抑制している。

　新製品は、IGBTチップの他、FWDチップ、HVICチップ、LVICチップ、制限抵抗付きBSDチップなどをワンパッケージに集積した。また、短絡保護や制御電源電圧低下保護、過熱保護またはアナログ温度出力などの機能を内蔵している。

　新製品の外形寸法は24.0×38.0×3.5mmで、端子配置などもDIPIPMシリーズの従来製品と互換性を維持している。新製品は定格電圧が600V。定格電流は10A品、15A品、20A品および、30A品の4製品を用意した。サンプル価格（税別）はそれぞれ、1200円、1500円、1700円、2200円である。

三菱電機、SiCパワー半導体製品を用途別に提案
三菱電機は、「TECHNO-FRONTIER 2019（テクノフロンティア）」で、パワーエレクトロニクス機器の省エネ化につながる、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体／モジュール製品を一堂に展示した。
三菱電機、耐圧1200VのSiCパワー半導体を開発
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小型多画素のサーマルダイオード赤外線センサー
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センサーへの攻撃を検知するアルゴリズム開発
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運転者が気づいていない危険だけ通知、画像分析を駆使
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もっと積極姿勢を見せてほしい日系パワー半導体メーカー
今回は、パワーデバイス市場について述べてみたいと思う。というのも、2018年11月26日、デンソーがInfineon Technologies（以下、Infineon）に出資すると発表したことが、筆者としては非常に気になったからである。