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» 2019年09月30日 07時55分 公開

EE Exclusive:拡大基調が見え始めたMRAM、鍵はエコシステムと製造技術 (1/2)

MRAM(磁気抵抗メモリ)の採用が拡大基調に突入しようとしている。ただし、採用がすぐに進むかどうかは、製造技術の進歩と、ディスクリートおよび組み込みMRAMデバイスの技術をサポートするエコシステムの発展の両方にかかっている。

[Gary Hilson,EE Times]
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 この記事は、2019年9月17日発行の「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版9月号」に掲載している記事を転載したものです。

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拡大基調の一歩手前

 MRAM(磁気抵抗メモリ)の採用が拡大基調に突入しようとしている。ただし、採用がすぐに進むかどうかは、製造技術の進歩と、ディスクリートおよび組み込みMRAMデバイスの技術をサポートするエコシステムの発展の両方にかかっている。

 米国の調査会社であるObjective AnalysisとCoughlin Associatesの年次報告書「Emerging Memories Ramp Up(新興メモリの成長)」は、MRAMがPCM(相変化メモリ)やReRAM(抵抗変化メモリ)とともに、これまで以上に多くのアプリケーションにとって意義あるものになったことを示している。しかし、同報告書の共著者であるThomas Coughlin氏は、「MRAMは、従来のCMOSの製造とは異なる材料やプロセスを使用するため、プロセスと材料の両方の面で独自の製造上の課題を抱えている」と述べている。

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