2枚の半導体ダイを積層しながら、1.1mmと薄いフォトダイオードを実現：福田昭のデバイス通信（248）（1/2 ページ）

SiとInGaAsの半導体ダイを積層

　本コラムの前回では、光半導体デバイスの専門メーカーである京都セミコンダクターが2020年5月26日に発表した赤外線フォトダイオード（PD）の概要をご説明した。受光波長範囲が400nm〜1100nmのシリコン（Si）PDダイと受光波長範囲が1000nm〜1700nmのインジウムガリウムヒ素（InGaAs）PDダイを同じ光軸上に積層することで、400nm〜1700nmと広い受光波長範囲を実現したフォトダイオードである。

　発表したフォトダイオードは表面実装タイプで、外形寸法は長さ5.7mm×幅4mm×高さ1.1mmと小さい。同社の従来品（挿入実装タイプの金属封止品）と比べて体積は8分の1に減少した。

開発した赤外線フォトダイオード（PD）「KPMC29（KP-2 Two-tone PD）」の概要。大きさは長さ5.7mm×幅4mm×高さ1.1mm。出典：京都セミコンダクター（クリックで拡大）

従来品（左上）と開発品（右下）の体積の比較。左上の従来品は、InGaAs PDダイの上にSi PDダイを積層している。2つのダイの間には絶縁体であるスペーサーを挿入してある。大きさは直径9.2mm×高さ3.7mm（挿入実装用リード部分を除く）。右下の開発品は、パッケージ基板の上にInGaAs PDダイを搭載し、さらにへこみのあるSi PDダイを載せている。SiダイのへこみにInGaAsダイが納まるので、InGaAsダイの高さはゼロとみなせる。出典：京都セミコンダクター（クリックで拡大）

　受光面の大きさはSi PDが2.2mm角、InGaAs PDが0.83mm角である。受光感度はSi PDが0.7A/W（波長950nm、バイアス0V、代表値）、InGaAs PDが0.9A/W（波長1550nm、バイアス0V、代表値）、暗電流はSi PDが0.1nA（逆バイアス5V、代表値）、InGaAs PDが1nA（逆バイアス5V、代表値）となっている。

「KPMC29（KP-2 Two-tone PD）」の主な仕様。データシートから抜粋したもの。出典：京都セミコンダクター（クリックで拡大）