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» 2020年10月09日 10時30分 公開

リチウムイオン電池の保護回路用:小型で低オン抵抗のドレインコモンMOSFETを発売

東芝デバイス&ストレージは、小型形状でオン抵抗が小さいドレインコモン構造の12V耐圧nチャネルMOSFET「SSM6N951L」を開発、出荷を始めた。リチウムイオン電池パックのバッテリー保護回路用途に向ける。

[馬本隆綱,EE Times Japan]

外形2.14×1.67mm、厚み0.11mmのCSPで供給

 東芝デバイス&ストレージは2020年9月、小型形状でオン抵抗が小さいドレインコモン構造の12V耐圧nチャネルMOSFET「SSM6N951L」を開発、出荷を始めた。リチウムイオン電池パックのバッテリー保護回路用途に向ける。

SSM6N951Lの外観と端子配置

 モバイル機器などに内蔵されるリチウムイオン電池パックには、充放電時の発熱を抑えたり、安全性を高めたりするため、冗長性の高い保護回路が用いられている。こうした中で、保護回路に用いるMOSFETには、電力損失を抑えるため極めて小さいオン抵抗特性や、高密度実装に対応できる小型低背形状が求められているという。

 SSM6N951Lは、専用の微細プロセスを採用し、オン抵抗4.6mΩ(代表値、VGS=3.8V)を実現した。また、ゲート・ソース間漏れ電流も±1μA(最大、VGS=±8V)と極めて小さく、バッテリーの長時間動作を可能にする。

 パッケージは、外形寸法2.14×1.67mmで厚みが0.11mm(代表値)のCSP(Chip Scale Package)を採用した。これにより、高密度実装を要求されるスマートフォンやタブレット、ウェアラブル端末、ゲーム機器、デジタルカメラなどへの搭載も容易となった。

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