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» 2020年10月21日 10時30分 公開

機器の電力損失を大幅に削減:東芝、耐圧1200VのSiC MOSFETを発売

東芝デバイス&ストレージは、耐圧1200VのSiC(炭化ケイ素)MOSFET「TW070J120B」を開発、出荷を始めた。産業機器向けAC-DCコンバーターや太陽光インバーター、大容量の双方向DC-DCコンバーターなどの用途に向ける。

[馬本隆綱,EE Times Japan]

高速スイッチングと低オン抵抗特性を実現

 東芝デバイス&ストレージは2020年10月、耐圧1200VのSiC(炭化ケイ素)MOSFET「TW070J120B」を開発、出荷を始めた。産業機器向けAC-DCコンバーターや太陽光インバーター、大容量の双方向DC-DCコンバーターなどの用途に向ける。

TW070J120Bの外観

 TW070J120Bは、順方向電圧が−1.35V(代表値)と低いSiC SBD(ショットキーバリアダイオード)を内蔵した。入力容量は1680pF(代表値)で、ゲート入力電荷量は67nC(代表値)、オン抵抗は70mΩ(代表値)とそれぞれ低い。ゲートしきい値電圧は4.2〜5.8Vと高く設定し、誤動作をしにくくした。

 これらの電気的特性から、耐圧1200VのシリコンIGBTに比べ、ターンオフスイッチング損失を約80%、スイッチング時間(下降時間)を約70%それぞれ低減している。しかも20A以下のドレイン電流で低オン電圧特性を実現した。パッケージはTO-3P(N)で供給する。

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