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「SiC」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「SiC」に関する情報が集まったページです。

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン IPC事業本部長 針田靖久氏:
逆風でも堅調、カスタマイズ強化し日本で急成長続ける
省エネ化/低炭素社会のキーデバイスとして、近年注目を集めるパワー半導体。次世代素材の開発など競争が激化する中、主要メーカーはいかに戦っていくのか。今回は、パワー半導体を主力とし世界トップクラスのシェアを誇る独Infineon Technologiesの日本法人インフィニオン テクノロジーズ ジャパンにおいて産業機器分野などを中心に事業を統括するインダストリアルパワーコントロール(IPC)事業本部の本部長、針田靖久氏に話を聞いた。(2019/11/12)

東京モーターショー2019:
日立オートモティブが800V高電圧インバーターを披露、出力密度は2.7倍に
日立オートモティブシステムズは「第46回東京モーターショー2019」(会期:10月24日〜11月4日、東京ビッグサイト他)において、同社の電動化技術や自動運転システムなどを紹介している。(2019/10/25)

国内販売代理店契約を締結:
協栄産業、FLOSFIA製GaOパワーデバイスを販売
協栄産業は、京都大学発のベンチャー企業であるFLOSFIAが開発したコランダム構造の酸化ガリウムを用いたパワー半導体「GaOパワーデバイス」の販売を始める。(2019/10/21)

電気自動車:
ワイヤレス給電インホイールモーターは、大容量バッテリーよりも「トータルコストが安い」
東京大学とブリヂストン、日本精工(NSK)、ローム、東洋電機製造は2019年10月10日、千葉県柏市で説明会を開き、走行中のワイヤレス給電が可能なインホイールモーターの第3世代品を開発したと発表した。(2019/10/15)

新製品を世界に先駆け投入:
伊のエピ装置企業、SiC市場狙い日本市場に本格参入
イタリアのパワー半導体向けエピ成膜装置の専業メーカー「LPE」が、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体市場の急成長を追い風に日本市場に本格参入をする。同社は2019年10月2日、SiCエピ成膜装置の新製品「PE106A」を世界に先駆け日本で販売開始。東京都内で開催した記者会見で、日本市場に向けた事業戦略などを説明した。同社CEOのFranco Preti氏は、「まずは、全体の売上における日本市場のシェアを現在の5%未満の状態から、5年以内に20%程度にまで上げていきたい」と語った。(2019/10/15)

電気自動車:
走行中のEVへワイヤレス給電に成功、東大らがインホイールモーターを新開発
東京大学と民間企業らの研究グループが、走行中の電気自動車にワイヤレス給電が可能なシステムを開発。従来より実際の車両に搭載しやすくした他、モーターや給電能力も高めることに成功した。(2019/10/11)

電気自動車:
ボッシュが300mmウエハー工場に10億ユーロを投資、既存工場でSiCデバイスを生産
Robert Bosch(ボッシュ)は2019年10月8日、SiCパワー半導体向け300mmウエハーを生産するドイツ・ドレスデン工場が2021年末から稼働すると発表した。(2019/10/9)

堅調な成長が予測される:
SiCの競争が激化、ウエハー供給不足は解消に向かう?
SiCパワー半導体には、引き続き高い関心が寄せられている。SiCウエハーの供給不足を懸念する声がある一方で、解消に向かっているとの見方もある。(2019/10/4)

CEATEC 2019事前情報:
最新SiCデバイスや独自の電源技術を展示 ローム
2019年10月15〜18日にかけて、「CEATEC 2019」が千葉・幕張メッセで開催される。ロームは、「MOVE FORWARD WITH OUR SEMICONDUCTORS」をテーマに、自動車向けの最新のSiCデバイスや車載ソリューション、ユニークな電源技術「Nanoシリーズ」などを展示する。(2019/10/3)

FAニュース:
SiC需要拡大に対応しイタリア企業が日本市場に参入、エピ成膜装置を展開
イタリアの半導体製造装置メーカーであるLPE(エルピーイー)は2019年10月2日、日本市場に本格参入し新たに巴工業と代理店契約を行った他、エピ成膜装置の自動搬送型新製品「PE106A」を日本で販売開始すると発表した。(2019/10/3)

三菱電機が開発:
窒素注入で低抵抗を実現したトレンチ型SiC-MOSFET
三菱電機は2019年9月30日、パワー半導体素子として、独自の電界緩和構造を採用したトレンチ型SiC-MOSFETを開発したと発表した。耐圧1500V以上を確保しつつ、素子抵抗率において、従来のプレーナー型SiC-MOSFETに比べて約50%減となる1cm2当たり1.84mΩを実現したという。(2019/10/1)

組み込み開発ニュース:
三菱電機から「世界最高レベル」のトレンチ型SiC-MOSFET、信頼性と量産性も確保
三菱電機は、1500V以上の耐圧性能と、「世界最高レベル」(同社)の素子抵抗率となる1cm2当たり1.84mΩを両立するトレンチ型SiC-MOSFETを開発した。家電や産業用機器、自動車などに用いられるパワーエレクトロニクス機器の小型化や省エネ化に貢献する技術として、2021年度以降の実用化を目指す。(2019/10/1)

福田昭のデバイス通信(203) 2019年度版実装技術ロードマップ(14):
SiCパワーデバイスがモビリティの電動化を加速
今回は、電動化のキーデバイスである「パワーデバイス」に関してロードマップが記述した部分の概要をご紹介していく。(2019/9/30)

三菱電機 執行役員半導体・デバイス第一事業部長 山崎大樹氏:
IGBTとIPM主軸に売上高2000億円超へ、大型投資も実施
人口増加や経済成長、テクノロジーの発展に伴って世界のエネルギー消費量が増加を続けるなか、省エネ化/低炭素社会のキーデバイスとなるパワー半導体に注目が集まっている。今回、IGBTをはじめとするパワー半導体の主要メーカー、三菱電機の執行役員、半導体・デバイス第一事業部長、山崎大樹氏に話を聞いた。(2019/9/27)

福田昭のデバイス通信(201) 2019年度版実装技術ロードマップ(12):
電動化した自動車の種類と構造
今回から、ロードマップの「モビリティー」のうち「電動化」について紹介していく。まずはハイブリッド自動車と電気自動車、燃料電池自動車の違いと、電動化した自動車の構成要素を取り上げよう。(2019/9/18)

富士経済が調査結果を公表:
パワー半導体メーカーの19年売上高は7.6%増へ
富士経済は2019年9月13日、世界の主要パワー半導体関連企業の売上高や事業状況についての調査結果を発表した。それによると、2019年の世界の主要パワー半導体メーカー36社のパワー半導体関連事業売上高は、2018年比7.6%増の2兆219億円に達するという。(2019/9/18)

金属加工技術:
SiCやGaNスライス工程の生産性を60%改善、三菱電機のマルチワイヤ放電加工機
三菱電機は2019年9月12日、新開発のマルチ放電スライス技術「D-SLICE(ディースライス)」を採用したマルチワイヤ放電スライス加工機「DS1000」を同年11月1日に発売すると発表した。SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)など次世代半導体材料のウエハースライス工程での活用を提案する。(2019/9/13)

ダブルパルステスターで高精度なデバイスモデルを:
SiC登場で不可避な電源回路シミュレーション、成功のカギは「正確な実測」
SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)を使ったパワーデバイスの実用化に伴い、電源設計においても回路シミュレーションを実施する必要性が高まっている。しかし、「実測値とシミュレーション結果が合わない」というケースが頻発している。なぜ、シミュレーションがうまく行かないのか。その理由と解決策を紹介してきたい。(2019/9/11)

研究開発の最前線:
三菱電機とAISTがダイヤモンド基板GaN-HEMTの開発に成功、無線機器の高効率化に
三菱電機は2019年9月2日、産業技術総合研究所(産総研)と共同で、放熱基板として単結晶ダイヤモンドを用いたマルチセル構造のGaN(窒化ガリウム)-HEMT(高電子移動度トランジスタ)を世界で初めて(同社調べ)開発したと発表した。(2019/9/3)

三菱電機が2025年の量産化目指す:
ダイヤモンド基板で放熱性を大幅に向上したGaN-HEMT
三菱電機は2019年9月2日、単結晶ダイヤモンド放熱基板を用いたマルチセル構造のGaN-HEMTを開発したと発表した。Si基板やSiC基板を使う従来のGaN-HEMTに比べ、電力効率と出力密度が10%向上し、温度上昇は最大6分の1に抑えられたという。(2019/9/3)

実装技術:
実装技術に影響与える「5G」「自動運転」、温度管理や電源管理に注目
電子情報技術産業協会(JEITA) Jisso技術ロードマップ専門委員会ではこのほど「2019年度版 実装技術ロードマップ」を発行。今後実装技術に大きな影響を与える注目すべき市場カテゴリーを選び技術課題の抽出や解決策などを提言している。(2019/9/2)

スイッチング損失を35%も削減:
ローム、4端子パッケージのSiC MOSFETを量産
ロームは、4端子パッケージを採用した耐圧650V/1200VのSiC(炭化ケイ素) MOSFET「SCT3xxx xR」シリーズとして6機種を開発、量産を始めた。従来の3端子製品に比べて、スイッチング損失を35%も削減できるという。(2019/8/29)

大山聡の業界スコープ(20):
アナログやパワーデバイスでも、ファブ活用の価値はある
2019年7月23日付掲載の記事「90nmプロセスの多用途展開を加速するMaxim」は、興味深い内容だった。Maximは大手アナログICメーカーとして著名なIDM(垂直統合型)企業だが、ファウンダリメーカー(以下、ファウンダリ)の活用に関しても積極的だと聞いており、筆者はこの記事を読み「なるほど」と合点がいった。そこで、今回はファウンダリの活用方法について、私見を述べたいと思う。(2019/8/20)

トレックス・セミコンダクター 執行役員 事業本部本部長代理 清水映氏:
PR:車載、産業機器に向け小型・低消費電力電源ICの開発を加速するトレックス
トレックス・セミコンダクターは、小型・低消費電力を特長にする電源/アナログIC製品の開発体制を強化。成長領域と位置付ける車載、産業機器市場に向けた新製品を加速させている。同社事業本部本部長代理を務める清水映氏に、製品/技術開発戦略について聞いた。(2019/8/20)

Tech Basics/Keyword:
第5世代移動通信システム「5G」とは
すでに韓国や米国でサービスが開始されている第5世代移動通信システム(5G)が、いよいよ日本でも2020年春に正式サービスが開始される予定だ。5Gとはどういったサービスなのか、既存の4G/LTEとはどういった点で異なっているのか、今後どのような影響が生じるのかを解説する。(2019/8/8)

昭和電工:
表面欠陥密度を半減させたSiCエピウエハーを開発
昭和電工は2019年8月、パワー半導体用SiC(炭化ケイ素)エピタキシャルウエハーとして、既に量産中の6インチサイズの低欠陥グレード品をさらに高品質化した第2世代製品を開発したと発表した。(2019/8/5)

Yoleが市場予測:
SiCパワー半導体市場、2024年までに20億米ドルに成長
フランスの市場調査会社Yole Développement(以下、Yole)は、2019年7月、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体市場が2024年までに20億米ドルに達する、という予測を発表した。Yoleはさらに、同市場が「2018年から2024年の間、年平均成長率29%で成長する」としている。(2019/7/31)

Keysight Worldでデモ展示:
ウイルスの侵入ポイントを探る、車載向けテスト
キーサイト・テクノロジーは2019年7月11日、同社のユーザー向けイベント「Keysight World」で、車載部品向けのサイバー攻撃テストソリューションや、パワー半導体の動特性を評価するアナライザーなどのデモを行った。(2019/7/17)

電子ブックレット:
パワー半導体が競演、「PCIM Europe 2019」レポート
「EE Times Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、2019年5月7〜9日に開催された世界最大規模のパワエレ関連展示会「PCIM Europe 2019」の現地レポート記事をまとめた電子ブックレットを紹介します。(2019/7/14)

製造マネジメントニュース:
デンソートヨタで車載半導体の先端研究、センサーやパワーモジュールも開発
デンソーとトヨタ自動車は2019年7月10日、次世代の車載半導体の研究と先行開発を行う共同出資会社の設立に合意したと発表した。(2019/7/11)

製造マネジメントニュース:
コニカミノルタがマレーシア業界団体に参画、デジタル変革に向け
コニカミノルタは、マレーシアで生産活動におけるオープンイノベーションに取り組む「Smart Industrial Centre」に参画すると発表した。デジタルマニュファクチャリングの革新的な技術をSICを通じて展開し、SIC参加企業をサポートする。(2019/7/8)

テクトロニクス:
個別の計測器提供から“テストシステム”の提供へ
テクトロニクスは2019年6月18日、ユーザー向けイベント「テクトロニクス・イノベーション・フォーラム 2019」を東京都内で開催。それに併せて来日した、米国Tektronix本社でTime Domain部門のバイスプレジデント兼ゼネラルマネジャーを務めるChristopher Witt氏と、オートモーティブ/パワー部門のゼネラルマネジャーを務めるSudipto Bose氏に、Tektronixの戦略などについて話を聞いた。(2019/6/27)

FAニュース:
冷却ファンレスで盤への格納を不要とする全閉型インバーター
富士電機は、盤への格納を不要とする全閉型インバータ「FRENIC-eFIT」を発売した。All-SiCモジュールの搭載により冷却ファンを不要とし、設置スペースの削減とコストダウンに貢献する。(2019/6/18)

新電元工業がいち早く製品化!:
PR:GaNパワー半導体の弱点を克服する大容量/高速安定動作可能なパワーモジュール登場
より高い電力変換効率が期待できるGaN(窒化ガリウム)などの新材料を用いた次世代パワー半導体は、既に実用化段階にある。しかし、電力変換/制御システムに搭載するには、設計の難易度が高いなど課題を抱える。そうした課題を解決し、実用化を前進させる大容量/高速安定動作可能なGaNパワーモジュールが登場した。(2019/6/18)

人とくるまのテクノロジー展2019:
48VシステムをEVやPHEVにも展開、車載充電器にはGaN採用
ヴァレオジャパンは、「人とくるまのテクノロジー展2019 横浜」(2019年5月22〜24日、パシフィコ横浜)において、電気自動車(EV)やプラグインハイブリッド車(PHEV)向けの48Vシステムを提案した。低コストな電動車の実用化に貢献する。(2019/5/29)

損失も低減:
Siの限界を突破する! 3300V IGBTの5Vゲート駆動に成功
2019年5月、東京大学生産技術研究所の更屋拓哉助手、平本俊郎教授を中心とする研究グループは、耐圧3300VクラスのシリコンによるIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)を、ゲート駆動電圧5Vで動作させることに成功したと発表。2019年5月28日に、東京都内で記者会見を開催し、開発技術の詳細を説明した。(2019/5/29)

SiCにも注力するLittelfuse:
車載用保護素子、モーターとIVIで増える需要
Littelfuse ジャパン(リテルヒューズ ジャパン、以下Littelfuse)は「人とくるまのテクノロジー展2019 横浜」(2019年5月22〜24日、パシフィコ横浜)で、同社が豊富にラインアップをそろえる回路保護素子や、パワー制御系の半導体製品などを展示した。(2019/5/23)

薬品処理と低温加熱だけで実現:
産総研、ダイヤモンド基板とSi基板を直接接合
産業技術総合研究所(産総研)は、化学薬品による処理と低温加熱だけでダイヤモンド基板とシリコン(Si)基板を直接接合できる技術を開発した。(2019/5/24)

製造マネジメントニュース:
自動車電動化とスマート工場化で成長目指す三菱電機、新規事業向け組織も新設へ
三菱電機は2019年5月20日、2019年度(2020年3月期)の経営戦略および2020年度(2021年3月期)以降の方向性について発表。自動車の電動化、スマートファクトリー化などを切り口に2020年度の売上高5兆円、営業利益率8%の中期目標達成を目指す他、新たに新規事業の受け皿になる横断組織を設立する計画を紹介した。(2019/5/21)

電子機器設計/組み込み開発メルマガ 編集後記:
ここはひとつ、Appleに期待するしか……「GaNの採用」
なんだかんだ言って、期待してしまう。(2019/5/20)

PCIM Europe 2019:
主力のSiC製品を順調に拡充、インフィニオン
Infineon Technologies(以下、Infineon)は、ドイツ・ニュルンベルクで開催されたパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Europe 2019」で、パワーモジュールの新パッケージや、TO247-2パッケージの1200V SiC-SBDを発表し、主力のパワーデバイスを順調に拡充していることをアピールした。(2019/5/17)

PCIM Europe 2019:
「EVや産業用途でGaNを見直すべき」 GaN Systems CEO
パワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Europe 2019」で、会期3日目の基調講演に登壇したGaN SystemsのCEOを務めるJim Witham氏。同氏は、EV(電気自動車)やハイパワーの産業機器で、GaNパワーデバイスを見直すべきだと強調する。(2019/5/13)

日置電機 CT6877:
AC-DC大電流の高確度測定用貫通型センサー
日置電機は、AC-DC 2000Aの大電流を1つのセンサーにより高確度で測定する貫通型電流センサー「CT6877」を発表した。電気自動車やハイブリッド自動車に搭載されるインバーターやバッテリーの評価などに適している。(2019/5/13)

PCIM Europe 2019でロームが講演:
車載インバーターのSiC採用、2021年以降に活発化
ドイツ・ニュルンベルクで毎年5月ないし6月に開催されるパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Europe」において、年々存在感が高まっているのが、電気自動車(EV)やプラグインハイブリッド自動車(PHEV)向けのパワーエレクトロニクス技術の紹介に特化したブース「E-Mobility Area」である。(2019/5/10)

PCIM Europe 2019:
SiC/GaNを生かすには「磁性部品のPCB統合」が鍵に
パワーエレクトロニクスの展示会としては世界最大規模の「PCIM Europe 2019」(2019年5月7〜9日)が、ドイツ・ニュルンベルクで開幕した。1日目の基調講演には米国Virginia TechのFred Lee氏が登壇し、「Next Generation of Power Supplies」と題した講演を行った。(2019/5/8)

東芝デバイス&ストレージ:
主流はシリコンパワー半導体、EV市場に期待大
東芝デバイス&ストレージは、2019年4月、東京都内でパワー半導体に関する技術説明会を実施し、パワー半導体の市場予測や東芝のパワー半導体事業の現状などを説明した。東芝デバイス&ストレージでパワーデバイス技師長を務める川野友広氏は、現在の主流はシリコン製品であり、特に高性能が要求されるMOSFETとハイパワー製品(=IGBT)に注力するとしつつ、SiC(炭化ケイ素)パワーデバイスの将来性にも触れ、「パワー半導体事業は非常に安定した事業だ。今後も製品開発と投資を継続していく」と語った。(2019/5/7)

TECHNO-FRONTIER 2019:
三菱電機、SiCパワー半導体製品を用途別に提案
三菱電機は、「TECHNO-FRONTIER 2019(テクノフロンティア)」で、パワーエレクトロニクス機器の省エネ化につながる、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体/モジュール製品を一堂に展示した。(2019/4/23)

TECHNO-FRONTIER 2019:
ローム、モーター評価を簡便に行うツールを提供
ロームは、「TECHNO-FRONTIER 2019(テクノフロンティア)」で、産業機器の省電力化や小型化、最適化、高機能化を可能にする電子デバイスやソリューションを提案した。(2019/4/22)

三菱電機 1200V SiC-SBD:
SiCを用いた1200V耐圧パワー半導体
三菱電機は、SiCを用いた1200V耐圧パワー半導体「1200V SiC-SBD」5タイプを発表した。Siダイオードと比べてスイッチング損失を大幅に削減し、電力損失を約21%低減する。また、JBS構造の採用によりサージ電流耐量が高く、信頼性に優れる。(2019/4/16)

TECHNO-FRONTIER 2019 開催直前情報:
「モーター開発に貢献する測定器」を展示 横河計測
横河計測は、2019年4月17〜19日に千葉・幕張メッセで開催される「TECHNO-FRONTIER 2019」で、「モーターの開発に貢献するソリューション」をテーマに展示を行う。(2019/4/15)



2013年のα7発売から5年経ち、キヤノン、ニコン、パナソニック、シグマがフルサイズミラーレスを相次いで発表した。デジタルだからこそのミラーレス方式は、技術改良を積み重ねて一眼レフ方式に劣っていた点を克服してきており、高級カメラとしても勢いは明らかだ。

言葉としてもはや真新しいものではないが、半導体、デバイス、ネットワーク等のインフラが成熟し、過去の夢想であったクラウドのコンセプトが真に現実化する段階に来ている。
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クラウドサービスのレビューサイト:ITreview

これからの世の中を大きく変えるであろうテクノロジーのひとつが自動運転だろう。現状のトップランナーにはIT企業が目立ち、自動車市場/交通・輸送サービス市場を中心に激変は避けられない。日本の産業構造にも大きな影響を持つ、まさに破壊的イノベーションとなりそうだ。

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