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「シリコン」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「シリコン」に関する情報が集まったページです。

福田昭のデバイス通信(261) 2019年度版実装技術ロードマップ(69):
小型化と薄型化、多機能化を後押しする部品内蔵基板
今回は、新世代のプリント配線板を代表する「機能集積基板」の概要を解説する。半導体チップや受動部品などを内蔵することで複数の機能を持たせた基板である。(2020/8/4)

Yole Developpement:
SiCはウエハー品質が課題、GaNは統合がトレンドに
パワーエレクトロニクスは、GaN(窒化ガリウム)とSiC(炭化ケイ素)の採用によって、興味深い道を歩んできた。フランスの市場調査会社であるYole Developpement(以下、Yole)は、これらのワイドバンドギャップ材料の概観を発表した。(2020/7/30)

大規模な量子コンピュータ実現へ:
強いスピン軌道相互作用と長いコヒーレンス時間を両立
東北大学は、シリコン中のホウ素原子に束縛された正孔で、極めて長いコヒーレンス時間を観測した。大規模な半導体量子コンピュータの開発につながる研究成果とみられている。(2020/7/28)

「どう見てもガラスやのにグニャって出来んの面白すぎるw」 Twitterで話題の“シリコングラス”が最高に不思議
脳が混乱するw(2020/7/24)

PCIM Europe digital days 2020、三菱電機:
再エネ、一般産業向け「LV100タイプ」IGBTモジュール
三菱電機は、オンライン開催となったパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe digital days 2020」(2020年7月7〜8日、ドイツ時間)に出展。新製品として、高い信頼性と拡張性を持つ一般産業用途向けのLV100モジュールを紹介した。耐圧1200V、1700Vをラインアップし、風力発電用コンバーターや太陽光発電セントラルインバーターなどの用途に向け、2020年中に製品化する予定だ。(2020/7/17)

次世代パワー半導体:
SiCは自動車、GaNはスマホが普及をけん引
パワーエレクトロニクスでは、GaN(窒化ガリウム)やSiC(炭化ケイ素)などのワイドバンドギャップ(WBG)デバイスの採用が進んでいる。シリコンは依然として市場を独占しているが、GaNやSiCデバイスの登場によって、技術はより効率的な新しいソリューションに向かうと予想される。(2020/6/17)

5G需要増で引き合い多く:
京セミが光半導体の製造能力強化、工場のIoT化も
京都セミコンダクターは2020年6月9日、札幌市で記者説明会を開催し、同社の概要や中期戦略計画などを紹介した。(2020/6/10)

京都セミコンダクター KPMC29:
高さ1.1mm、受光波長400〜1700nmの赤外線フォトダイオード
京都セミコンダクターは、光計測機器向けのKP-2 二波長フォトダイオード(KP-2 Two-tone PD)「KPMC29」を発表した。2種の受光素子を同一光軸上に配置することで、検出波長域を広げている。(2020/6/10)

富士経済が調査結果を発表:
パワー半導体市場、2030年に4兆円超の規模へ
富士経済は、世界のパワー半導体市場を調査し、2030年までの市場予測を発表した。これによると、2019年の2兆9141億円に対し、2030年は4兆2652億円に達すると予測した。(2020/6/8)

福田昭のデバイス通信(248):
2枚の半導体ダイを積層しながら、1.1mmと薄いフォトダイオードを実現
前回に続き、京都セミコンダクターが発表した赤外線フォトダイオード(PD)「KPMC29(KP-2 Two-tone PD)」について解説する。今回は、同製品の特長と構造を説明したい。(2020/6/5)

福田昭のデバイス通信(247):
京都セミコンダクター、高さがわずか1.1mmで波長範囲の広い赤外線フォトダイオードを製品化
京都セミコンダクターが、受光波長範囲が広く、高さが1.1mmと薄型の赤外線フォトダイオード(PD)を製品化した。同製品を、PDの解説と併せて紹介する。(2020/6/2)

WBGパワー半導体を使う:
SiCスイッチの特性と設計上の注意点
年々注目度が増すワイドバンドギャップ(WBG)半導体。その中で、現在最もシェアが高いのはSiC(炭化ケイ素)だ。SiCスイッチの特性と、同素子を使う際の設計上の注意点を説明する。(2020/5/27)

かつてない電力需要増に応える:
PR:IoT/AI時代の“立役者”、次世代パワーICはさらなる高電力密度化へ
IoTとAIの時代が到来し、さまざまな機器で膨大な量のデータが処理され、グローバルなレベルでデータが行き交うことから、増加する電力需要に応えられる拡張機能を備えたパワーエレクトロニクス製品が求められている。Texas Instruments(TI)は、こうした要件を満たす、高い電力密度や変換効率を実現した最新のGaN製品や降圧型DC/DCコンバータを展開している。(2020/5/27)

「これからの40年」がテーマ:
「VLSIシンポジウム2020」は初のオンライン開催に
2020年6月15〜18日(以下、特に記載がない限り全てハワイ時間)に開催される半導体デバイス/回路技術に関する国際会議「VLSIシンポジウム 2020」。本来は米国・ハワイで開催される予定だったが、新型コロナウイルス感染症(COVID-19)の影響で、初のオンライン開催となる。VLSIシンポジウム委員会は2020年5月20日、記者説明会をオンラインで開催し、概要を説明した。(2020/5/22)

福田昭のデバイス通信(241) 2019年度版実装技術ロードマップ(51):
代表的なMEMSセンサーとその応用(後編)
MEMSセンサーを前後編で紹介している。後編となる今回は、圧力センサーと傾斜センサーについて解説する。(2020/4/21)

日米の大学が研究成果を発表:
ダイヤモンド基板のGaN-HEMT、新接合技術で熱伝導が向上
米Georgia Institute of Technology(ジョージア工科大学)機械工学部が主導する開発チームが、室温での表面活性化接合(SAB)をベースとして、GaNと単結晶ダイヤモンドを別の中間層と接合するという成果を発表した。(2020/4/9)

スピン波ダイオードの開発に弾み:
Ni/Si複合材料でスピン波の非相反率を1200%に
慶應義塾大学は、ニッケルとシリコンの複合材料を用い、逆方向のスピン波(磁気の波)振幅を、順方向に比べ12分の1以下に低減できることを発見した。(2020/4/6)

Siの代替材料が期待される:
5Gの導入で変わる? RFチップの材料
「Mobile World Congress(MWC) 2020」の中止にもかかわらず、特に5G(第5世代移動通信) RFのフロントエンドモジュールでシリコン性能の限界に到達しつつあるエレクトロニクス企業の中で、5Gの追及は時間単位でより劇的に高まっている。(2020/3/6)

GaN半導体の普及促進を加速:
STとTSMC、GaN半導体の開発と製品化で協力
STマイクロエレクトロニクスとTSMCは、GaN(窒化ガリウム)を用いたパワー半導体製品の安定供給に向けて協力していく。(2020/3/3)

二次電池の高容量化を可能に:
東京大学、加圧電解プレドープ技術を開発
東京大学大学院理学系研究科の西原寛教授らは、二次電池の高容量化を可能にする加圧電解プレドープ技術を開発した。二次電池の容量が20%も増加し、繰り返し行う充放電に伴う容量低下も抑えられる。(2020/2/26)

LLC共振コンバーターを20%も小型化:
PR:GaNモジュールで実現した1kW高効率スイッチング電源を徹底検証
小型で高効率の次世代電源を容易に開発したい――。こうした電源設計者の願いをかなえることができるGaN(窒化ガリウム)パワーモジュールが登場した。ハーフブリッジ回路をモジュール化することで、高密度実装と優れた放熱特性を両立させた。このGaNパワーモジュールを応用して、スイッチング周波数が1MHzで出力電力1kWの高効率スイッチング電源を作製し、その実力を徹底検証した。(2020/1/14)

「GaNFast」はノートPCにも:
本格的に立ち上がり始めた、GaN採用の充電器市場
GaNパワーデバイスの市場が本格的に立ち上がっている。最初の重要なアプリケーションとなりそうなのが、バッテリーチャージャーだ。(2019/12/23)

産業用画像技術:
分解能1nmで膜厚を測定できる、キヤノンITSがハイパースペクトル画像事業に注力
キヤノンITソリューションズ(キヤノンITS)は、ハイパースペクトル画像処理ソフトウェアを手掛けるドイツのLuxFluxと販売代理店契約を締結したと発表した。2019年12月上旬から同社製品の国内販売を始める。販売開始から3年後となる2022年の売上高目標は1億円。(2019/12/9)

Nexperia GAN063-650WSA:
650Vの高電圧高効率GaN FET
Nexperiaは、650Vの高電圧高効率GaN FET「GAN063-650WSA」を発表した。量産に対応する高い拡張性を備え、堅牢で、低オン抵抗および高速スイッチング特性を有する。(2019/12/9)

ゲートドライバとの組み合わせで:
TIのGaNパワー半導体ビジネスの狙いと勝算
Texas Instruments(TI)はパワー半導体市場でどのような戦略を立て、競合に対抗していくのか。同社ハイボルテージ・パワー部門バイスプレジデント兼ジェネラル・マネージャを務めるSteve Lambouses氏にインタビューした。(2019/12/6)

福田昭のデバイス通信(214) 2019年度版実装技術ロードマップ(25):
1個のパッケージでシステムを実現するSiP
今回は、SiP(System in Package)を実現する幾つかの手法のうち、2.X次元(2.XD)の実装技術を解説する。ここでカギとなるのは、インタポーザだ。(2019/12/4)

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン IPC事業本部長 針田靖久氏:
逆風でも堅調、カスタマイズ強化し日本で急成長続ける
省エネ化/低炭素社会のキーデバイスとして、近年注目を集めるパワー半導体。次世代素材の開発など競争が激化する中、主要メーカーはいかに戦っていくのか。今回は、パワー半導体を主力とし世界トップクラスのシェアを誇る独Infineon Technologiesの日本法人インフィニオン テクノロジーズ ジャパンにおいて産業機器分野などを中心に事業を統括するインダストリアルパワーコントロール(IPC)事業本部の本部長、針田靖久氏に話を聞いた。(2019/11/12)

国内販売代理店契約を締結:
協栄産業、FLOSFIA製GaOパワーデバイスを販売
協栄産業は、京都大学発のベンチャー企業であるFLOSFIAが開発したコランダム構造の酸化ガリウムを用いたパワー半導体「GaOパワーデバイス」の販売を始める。(2019/10/21)

太陽光:
京セラが軽量で曲がる太陽電池、結晶Siの採用で発電効率と耐久性も両立
京セラは「CEATEC 2019」で開発中の曲げられる太陽電池モジュールを参考出展。一般的に利用されている結晶シリコン太陽電池を採用し、湾曲可能かつ軽量という特性と、発電効率や耐久性の両立を可能にしているのが特徴だという。(2019/10/17)

堅調な成長が予測される:
SiCの競争が激化、ウエハー供給不足は解消に向かう?
SiCパワー半導体には、引き続き高い関心が寄せられている。SiCウエハーの供給不足を懸念する声がある一方で、解消に向かっているとの見方もある。(2019/10/4)

組み込み開発ニュース:
三菱電機から「世界最高レベル」のトレンチ型SiC-MOSFET、信頼性と量産性も確保
三菱電機は、1500V以上の耐圧性能と、「世界最高レベル」(同社)の素子抵抗率となる1cm2当たり1.84mΩを両立するトレンチ型SiC-MOSFETを開発した。家電や産業用機器、自動車などに用いられるパワーエレクトロニクス機器の小型化や省エネ化に貢献する技術として、2021年度以降の実用化を目指す。(2019/10/1)

福田昭のデバイス通信(203) 2019年度版実装技術ロードマップ(14):
SiCパワーデバイスがモビリティの電動化を加速
今回は、電動化のキーデバイスである「パワーデバイス」に関してロードマップが記述した部分の概要をご紹介していく。(2019/9/30)

富士経済が調査結果を公表:
パワー半導体メーカーの19年売上高は7.6%増へ
富士経済は2019年9月13日、世界の主要パワー半導体関連企業の売上高や事業状況についての調査結果を発表した。それによると、2019年の世界の主要パワー半導体メーカー36社のパワー半導体関連事業売上高は、2018年比7.6%増の2兆219億円に達するという。(2019/9/18)

金属加工技術:
SiCやGaNスライス工程の生産性を60%改善、三菱電機のマルチワイヤ放電加工機
三菱電機は2019年9月12日、新開発のマルチ放電スライス技術「D-SLICE(ディースライス)」を採用したマルチワイヤ放電スライス加工機「DS1000」を同年11月1日に発売すると発表した。SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)など次世代半導体材料のウエハースライス工程での活用を提案する。(2019/9/13)

シリコン・ラボ Si834x:
堅牢な産業用デジタルアイソレータースイッチ
シリコン・ラボラトリーズは、小型で堅牢なデジタルアイソレータースイッチ「Si834x」ファミリーを発表した。ガルバニック絶縁と100kV/マイクロ秒以上のコモンモード過渡耐性により、信頼性とパフォーマンスに優れる。(2019/9/11)

ダブルパルステスターで高精度なデバイスモデルを:
SiC登場で不可避な電源回路シミュレーション、成功のカギは「正確な実測」
SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)を使ったパワーデバイスの実用化に伴い、電源設計においても回路シミュレーションを実施する必要性が高まっている。しかし、「実測値とシミュレーション結果が合わない」というケースが頻発している。なぜ、シミュレーションがうまく行かないのか。その理由と解決策を紹介してきたい。(2019/9/11)

三菱電機が2025年の量産化目指す:
ダイヤモンド基板で放熱性を大幅に向上したGaN-HEMT
三菱電機は2019年9月2日、単結晶ダイヤモンド放熱基板を用いたマルチセル構造のGaN-HEMTを開発したと発表した。Si基板やSiC基板を使う従来のGaN-HEMTに比べ、電力効率と出力密度が10%向上し、温度上昇は最大6分の1に抑えられたという。(2019/9/3)

IoT機器向けに、新熱電材料を研究:
ありふれた元素、わずかな温度差で熱電発電するモジュール
NEDO、物質・材料研究機構、アイシン精機、茨城大学は2019年8月21日、「汎用元素だけで構成する新熱電材料」を使った熱電発電モジュールの開発に成功した、と発表した。IoT(モノのインターネット)機器の駆動やBLE通信が可能になる発電量を得ることができるといい、「将来、日本国内で1兆個ともいわれるIoT機器の駆動を支える自立電源としての普及と使途範囲の拡充に貢献する」としている。(2019/8/23)

組み込み開発ニュース:
ありふれた元素で熱電発電、5℃の温度差でもIoT機器が動く
NEDO、物質・材料研究機構、アイシン精機と茨城大学は2019年8月21日、汎用元素のみで構成する熱電発電モジュールを世界で初めて開発したと発表した。(2019/8/22)

シリコン・ラボ Si539x新モデル:
ジッタ減衰器に源発振内蔵型の新モデル追加
シリコン・ラボラトリーズは、5G(第5世代移動通信)対応ジッタ減衰器ファミリー「Si539x」に新モデルを追加した。源発振機能を内蔵し、高速ネットワーク設計のPCBレイアウトを簡素化する。水晶振動子も組み込まれており、AEノイズに対し高い耐性を持つ。(2019/7/9)

太陽光:
東芝が次世代太陽電池で成果、タンデム型で発電効率23.8%を記録
東芝が透過型亜酸化銅(Cu2O)を用いた低コストのタンデム型太陽電池で、現在広く普及している結晶シリコン(Si)太陽電池単体での発電効率を上回る発電効率23.8%を達成したと発表した。(2019/6/25)

n層とp層の界面電位差を小さく:
東芝、タンデム型太陽電池で発電効率23.8%達成
東芝は、透過型の亜酸化銅を用いたタンデム型太陽電池で、23.8%の発電効率を達成した。(2019/6/21)

新電元工業がいち早く製品化!:
PR:GaNパワー半導体の弱点を克服する大容量/高速安定動作可能なパワーモジュール登場
より高い電力変換効率が期待できるGaN(窒化ガリウム)などの新材料を用いた次世代パワー半導体は、既に実用化段階にある。しかし、電力変換/制御システムに搭載するには、設計の難易度が高いなど課題を抱える。そうした課題を解決し、実用化を前進させる大容量/高速安定動作可能なGaNパワーモジュールが登場した。(2019/6/18)

太陽光:
トリナが太陽電池セルで新記録、N型単結晶Siで24.58%を達成
中国トリナ・ソーラーが量産型のN単結晶シリコン太陽電池セルで、世界記録を達成。変換効率24.58%を達成した。(2019/6/10)

損失も低減:
Siの限界を突破する! 3300V IGBTの5Vゲート駆動に成功
2019年5月、東京大学生産技術研究所の更屋拓哉助手、平本俊郎教授を中心とする研究グループは、耐圧3300VクラスのシリコンによるIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)を、ゲート駆動電圧5Vで動作させることに成功したと発表。2019年5月28日に、東京都内で記者会見を開催し、開発技術の詳細を説明した。(2019/5/29)

GaN結晶内に電流分散層を導入:
豊田合成、縦型GaNパワー半導体で大電流実現
豊田合成は、開発中の縦型GaN(窒化ガリウム)パワー半導体で、電流容量を100Aへ高めることに成功した。(2019/5/30)

車載用アナログパワーICに適用:
高温下でも高信頼性のLDMOSプロセス技術を開発
東芝デバイス&ストレージとジャパンセミコンダクターは、車載用アナログパワーICなどの用途に向け、高温環境下でも高い信頼性を実現可能な、LDMOSプロセス技術を開発した。(2019/5/28)

薬品処理と低温加熱だけで実現:
産総研、ダイヤモンド基板とSi基板を直接接合
産業技術総合研究所(産総研)は、化学薬品による処理と低温加熱だけでダイヤモンド基板とシリコン(Si)基板を直接接合できる技術を開発した。(2019/5/24)

シリコン・ラボ Si5332、Si522xx、Si532xx:
PCIe 5.0準拠クロックGとバッファ製品群
シリコン・ラボラトリーズは、PCI Express 5.0に準拠したクロックジェネレーターファミリー「Si5332」「Si522xx」と、PCIeバッファファミリー「Si532xx」を発表した。(2019/5/17)

PCIM Europe 2019:
「EVや産業用途でGaNを見直すべき」 GaN Systems CEO
パワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Europe 2019」で、会期3日目の基調講演に登壇したGaN SystemsのCEOを務めるJim Witham氏。同氏は、EV(電気自動車)やハイパワーの産業機器で、GaNパワーデバイスを見直すべきだと強調する。(2019/5/13)



にわかに地球規模のトピックとなった新型コロナウイルス。健康被害も心配だが、全国規模での臨時休校、マスクやトイレットペーパーの品薄など市民の日常生活への影響も大きくなっている。これに対し企業からの支援策の発表も相次いでいるが、特に今回は子供向けのコンテンツの無料提供の動きが顕著なようだ。一方産業面では、観光や小売、飲食業等が特に大きな影響を受けている。通常の企業運営においても面会や通勤の場がリスク視され、サーモグラフィやWeb会議ツールの活用、テレワークの実現などテクノロジーによるリスク回避策への注目が高まっている。

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