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» 2013年02月13日 12時36分 UPDATE

プロセス技術:14nmプロセスの立ち上げで、デッドヒートを続けるSamsungとGF (1/2)

Samsung ElectronicsとGLOBALFOUNDRIES(GF)は、14nmプロセスでの製造開始に向けてデッドヒートを繰り広げている。一方、IBMは、半導体業界のより長期的な発展を見据え、EUVリソグラフィ装置の開発を進めている。ただし、現在のところ芳しい進展は見られていない。EUVリソグラフィ技術の実用化は、7nm世代以降になる見通しだ。

[Rick Merritt,EE Times]

 Samsung ElectronicsとGLOBALFOUNDRIESは、両社にとって初となる14nmプロセスでの製造開始に向けてデッドヒートを繰り広げている。両社とも、競合となるTSMCに1年先駆け、2013年末までに14nmプロセスを立ち上げることを目指している。一方で、IBMは半導体業界のより長期的な発展を見据え、EUV(極端紫外線)リソグラフィ装置の開発を進めている。ただし、現在のところ、芳しい進展は見られないようだ。2013年2月5日にカリフォルニア州サンタクララで開催された「Common Platform Technology Forum 2013」では、こうした状況が明らかになった。

 IBM、Samsung、GLOBALFOUNDRIESの3社は、半導体製造に関するアライアンス「Common Platform」を推進している。Common Platform Technology Forumは、同アライアンスが主催する年次イベントである。

 SamsungとGLOBALFOUNDRIESの両社は、14nm世代のFinFETプロセス技術を適用したチップの試作を開始する。

 GLOBALFOUNDRIESによれば、14nmプロセスを適用したテストチップは、28nmプロセスに比べて性能が60%向上したという。なお、このテストチップは、ARMのデュアルコアのCortex-A9を実装したものである。

mm130213_samsunggf_fig1.jpg 14nmプロセスを適用したテストチップは、28nmプロセスに比べて性能が60%向上したという。(クリックで拡大)

 Samsungのファウンドリ事業部でバイスプレジデントを務めるK.H. Kim氏によると、同社は2013年4月と9月に、特定の顧客に向けて14nmプロセスチップの試作を行う予定だという。

mm130213_samsunggf_fig2.jpg GLOBALFOUNDRIESのプロセスロードマップ。2015年には「10XM」の表記も見える。(クリックで拡大)
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