GLOBALFOUNDRIES、22nm FD-SOIの製造を2016年から開始：2018年には年間数十万ウエハーの生産を計画（1/2 ページ）

ドレスデン28nmラインを改良

　GLOBALFOUNDRIES（グローバルファウンドリーズ）は2015年7月13日（米国時間）、2016年から製造開始予定の22nm FD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ）技術を発表した。今後、ドイツ・ドレスデンの生産拠点に、2億5000万米ドルを投資し、22nm FD-SOI製造ラインを整備。2016年からリスク生産を行い本格量産へと順次以降する予定だ。

　発表した22nm FD-SOI技術は、「22FDXプラットフォーム」と呼び、プレーナ型のトランジスタ構造を用いる。製造プロセスは、High-k/メタルゲート（HKMG）を用いたプレーナ型28nmプロセスをベースに構築できるという。

28nmバルクと製造コスト「同じ」

Gregg Bartlett氏 出典：GLOBALFOUNDRIES

　同社CMOSプラットフォームビジネスユニット シニアバイスプレジデントのGregg Bartlett氏は「22FDXは、28nmバルクCMOSと比べ、チップサイズで20％、マスク数で10％削減できる技術。SOIという特殊なサブストレートを使うものの、ダイサイズを小さくでき、マスク数も減らせるため、結果的には28nmバルクCMOSとほぼ同じ価格で製造できる」とした。

　FinFET構造との比較でも「同等の性能を実現しながら、液浸リソグラフィの層数を50％削減できる」（Bartlett氏）とコストパフォーマンスの良さを強調。「14nmなど最先端のFinFETプロセスは、高性能コンピュータ（HPC）やハイエンドスマホで需要があるだろう。しかし、メインストリームのスマホや、テレビやセットトップボックスなど民生機器、IoT用端末などでは別のニーズがある。22nm FD-SOIはそうしたHPC、ハイエンドスマホ以外での需要を見込む」という。

0.4V駆動対応も

　消費電力については、超低消費電力版プロセス「22FD-ulp」で0.9V駆動のHKMG採用28nmバルクCMOSに比べ、約70％削減できるという。さらに0.4V駆動を行えば、最大90％消費電力を削減できるとする。

　超低消費電力版プロセス以外にも、超低リーク版「22FD-ull」、超高性能版「22FD-uhp」、高周波アナログ対応版「22FD-rfa」といったプロセスオプションを用意する方針だが、「当初は、22FD-ulpからの提供になるだろう」という。