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» 2015年12月25日 11時30分 UPDATE

福田昭のデバイス通信 ISSCC 2016プレビュー(3):シングルダイの記憶容量が100Gバイトに近づく半導体メモリ (1/2)

セッション7のテーマは「不揮発性メモリのソリューション」だ。マイクロンジャパンとMicron Technology、Intelの共同チームが、768Gビットと極めて大きな記憶容量のNANDフラッシュメモリを発表するなど、注目の論文が相次ぐ。

[福田昭,EE Times Japan]

3D NAND技術でシングルダイ768Gビットのフラッシュを実現

 前回に続き、ISSCC 2016の技術講演セッションから、2016年2月2日(火曜日)午前に発表予定の講演論文のハイライトをお届けしよう。

 この時間帯は、セッション7からセッション11までの5本のセッションが同時並行に進行する。メインテーマは、セッション7が「メモリ」、セッション8が「デジタル回路」、セッション9が「ワイヤレス通信」、セッション10が「ワイヤライン通信」、セッション11が「イメージャ/MEMS/医療/ディスプレイ」である。

2月2日(火)午前の講演セッション一覧 2月2日(火)午前の講演セッション一覧(クリックで拡大)

 それでは、セッション7から順番に、注目講演をご紹介する。セッション7のサブテーマは「不揮発性メモリのソリューション」である。

 このセッションでは、768Gビットと極めて大きな記憶容量のNANDフラッシュメモリが登場する。マイクロンジャパンとMicron Technology、Intelの共同チームによる開発成果である(講演番号7.7)。浮遊ゲート方式の3D NAND技術と、TLC(3ビット/セル)技術を駆使した。シリコンダイ面積は179.2mm2であり、記憶容量の大きさを考慮すると、かなり小さいといえる。

 48層の3D NAND技術とTLC技術によって実現した256GビットのNANDフラッシュメモリを、Samsung Electronicsが発表する(講演番号3.1)。書き込みスループットは53Mバイト/秒、入出力速度は1Gビット/秒(Gbps)と高い。

不揮発性メモリの記憶密度(面密度)向上トレンド 不揮発性メモリの記憶密度(面密度)向上トレンド。2015年11月16日に東京で開催されたISSCC記者会見の資料から(クリックで拡大)
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