シングルダイの記憶容量が100Gバイトに近づく半導体メモリ：福田昭のデバイス通信 ISSCC 2016プレビュー（3）（1/2 ページ）

3D NAND技術でシングルダイ768Gビットのフラッシュを実現

　前回に続き、ISSCC 2016の技術講演セッションから、2016年2月2日（火曜日）午前に発表予定の講演論文のハイライトをお届けしよう。

　この時間帯は、セッション7からセッション11までの5本のセッションが同時並行に進行する。メインテーマは、セッション7が「メモリ」、セッション8が「デジタル回路」、セッション9が「ワイヤレス通信」、セッション10が「ワイヤライン通信」、セッション11が「イメージャ/MEMS/医療/ディスプレイ」である。

2月2日（火）午前の講演セッション一覧（クリックで拡大）

　それでは、セッション7から順番に、注目講演をご紹介する。セッション7のサブテーマは「不揮発性メモリのソリューション」である。

　このセッションでは、768Gビットと極めて大きな記憶容量のNANDフラッシュメモリが登場する。マイクロンジャパンとMicron Technology、Intelの共同チームによる開発成果である（講演番号7.7）。浮遊ゲート方式の3D NAND技術と、TLC（3ビット/セル）技術を駆使した。シリコンダイ面積は179.2mm²であり、記憶容量の大きさを考慮すると、かなり小さいといえる。

　48層の3D NAND技術とTLC技術によって実現した256GビットのNANDフラッシュメモリを、Samsung Electronicsが発表する（講演番号3.1）。書き込みスループットは53Mバイト/秒、入出力速度は1Gビット/秒（Gbps）と高い。

不揮発性メモリの記憶密度（面密度）向上トレンド。2015年11月16日に東京で開催されたISSCC記者会見の資料から（クリックで拡大）