インタビュー
» 2017年06月01日 09時30分 UPDATE

2018年に7nmと12FDX立ち上げへ:EUVと液浸、FinFETとFD-SOI、GFの強みは2点張り (1/3)

2017年5月31日、来日したGLOBALFOUNDRIES(グローバルファウンドリーズ/GF)CMOSプラットフォーム事業部シニアバイスプレジデントのGregg Bartlett氏に7nm FinFET、12nm FD-SOIの開発状況などについてインタビューした。

[竹本達哉,EE Times Japan]

2019年にEUV導入を計画

 GLOBALFOUNDRIES(グローバルファウンドリーズ/GF)は2018年上半期にも7nm FinFETプロセスで、同年末には12nmのFD-SOIプロセスで、最初の製品のテープアウトし量産を開始する計画だ。

 EE Times Japanでは2017年5月31日、来日した同社CMOSプラットフォーム事業部シニアバイスプレジデントのGregg Bartlett氏に7nm FinFET、12nm FD-SOIの開発状況や、プロセス開発戦略、増産計画などについてインタビュー取材を行った。

Gregg Bartlett氏

7nm世代は「液浸のち、EUV」

EE Times Japan(以下、EETJ) まず、7nm世代のFinFETプロセスの開発状況、量産スケジュールについて教えてほしい。

Gregg Bartlett氏 2018年第2四半期に最初の製品をテープアウトできるように準備を進めている状況だ。7nm FinFETは、多くの新技術を導入するプロセス世代であり、パフォーマンス、歩留りなど改善しなければいけないことはあるが、開発自体は順調だ。

7nm FinFETプロセスの概要 (クリックで拡大) 出典:GLOBALFOUNDRIES

EETJ 2018年の7nm FinFET立ち上げ時は、(ArF液浸による)光リソグラフィでの生産になる。

Bartlett氏 はい。立ち上げ当初は、マルチパターニングによる光リソグラフィ技術での生産になる。EUV(極端紫外線)リソグラフィ技術の導入は、2019年を予定している。

EETJ 光リソの7nm FinFETと、EUVの7nm FinFETに互換性はあるのか。

Bartlett氏 7nm FinFETプロセスは、EUVでの生産を前提に開発している。そのため、顧客は光リソからEUVに代わった場合でも、再設計の手間などは生じない。

遅れれば、ArF液浸を継続

EETJ EUVの開発状況は?

Bartlett氏 既にEUVステッパーを1台導入し、年内にはさらに2台を導入する予定で、量産準備は着々と進んでいる。確かに、EUV光源、マスクなどでまだまだ改善の余地が残っているのも事実だが、今のところ、2019年に導入できるとみている。

EETJ EUVの開発が遅れる懸念はないのか。

Bartlett氏 仮にEUV技術の成熟が遅れた場合には、光リソで生産していけば良い。7nmプロセスで半導体を製造するのは、われわれを含め世界で4社だけだろう。その4社の中で、光リソ、EUVの両方を手掛けるのはわれわれだけだ。

 多くの顧客は7nm世代は、パターン数が少なく複雑性を排除する“EUVありきのプロセス世代”と思っている。一方で、いち早く7nm世代へ移行したいとも考えている。光、EUV双方のリソグラフィ技術を持つという点が、競合との差異化要因になっている。

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