「パワー半導体(エレクトロニクス)」最新記事一覧

パワー半導体:
山手線の新型車両「E235系」がSiCパワー半導体を採用へ
JR東日本は2014年7月、2015年秋頃に山手線で営業運転を開始する新型電車車両「E235系」の主制御器に、SiC(炭化ケイ素)を使用したパワー半導体を搭載すると発表した。(2014/7/2)

パワー半導体 SiCデバイス:
−40〜250℃の温度サイクル試験で1000回達成、SiCパワー半導体向け基板
ノリタケカンパニーリミテド(以下、ノリタケ)は、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体向けに、温度範囲が−40〜250℃で1000回の耐熱サイクル性を実現した金属セラミック基板を開発したと発表した。(2014/6/9)

パワー半導体 酸化ガリウム:
SiCには勝てる! 欧米も注目する“第3の次世代パワーデバイス”の国内開発プロジェクトが今春スタート
情報通信研究機構(NICT)は、2014年4月をメドに次世代パワーデバイス材料の1つである酸化ガリウムを使ったデバイスの実用化を目指した本格的な開発プロジェクトを発足させる。国内電機メーカーや材料メーカー、半導体製造装置メーカー、大学などと連携して2020年までに酸化ガリウムパワー半導体デバイスの実用化を目指す。(2014/2/27)

パワー半導体技術:
IGBTの耐久性の定量化
IGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)は絶対に破壊されないわけではなく、適切な対策を実施しない場合は寿命が縮まる可能性があります。ただ、IGBTの実際の耐久性を正確に評価し、デバイスの信頼性がどの点でも低下しないことを保証するための対策があります。ここではその対策について紹介します。(2013/10/16)

パワー半導体:
SiCデバイス価格、2016年度にSi比1.5〜2倍に――ローム、6インチウエハー/トレンチ構造導入で
ロームは、SiC(炭化ケイ素)を用いたMOSFETデバイスの価格が、2016年度には、Si(シリコン)ベースのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)価格の1.5〜2倍程度に低減できるとの見通しを示した。現状、10倍程度とされるSiCデバイスとSiデバイスの価格差が見通し通り大幅に縮めば、SiCデバイスの普及に拍車が掛かることになる。(2013/8/29)

パワー半導体:
SiCやGaNよりもワイドギャップ! 酸化ガリウムMOSFETを開発
情報通信研究機構などは、次世代パワー半導体材料の1つである酸化ガリウムを用いたMOSFETを開発したと発表した。酸化ガリウムは、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)よりも、パワー半導体に向く材料物性を備えるという。(2013/6/19)

三菱電機 SiCパワー半導体モジュール:
電力損失を最大3割削減するハイブリッドSiCパワーモジュールを発売
三菱電機は、ダイオード部にSiC(炭化ケイ素)を用いたハイブリッドSiCパワー半導体モジュール3製品を発売した。家電、産業機器、鉄道車両の各用途でインバータの小型化に貢献するという。(2013/5/9)

パワー半導体:
新日本無線がSJ-MOSFETを量産へ、デンソーの技術でオン抵抗を半減
新日本無線は、デンソーからライセンス供与を受け、スーパージャンクション構造を持つパワーMOSFET(SJ-MOSFET)を量産する。従来工法のSJ-MOSFETと比べて、単位面積当たりのオン抵抗を半減したことが特徴である。(2013/2/28)

パワー半導体:
Infineonが、300mmウエハーを用いたパワー半導体チップの生産を開始
Infineonは、300mmウエハーを用いたパワーMOSFETの生産を開始すると発表した。200mmウエハーを用いる場合に比べてチップの生産量が2.5倍に増加するため、コスト的なメリットがあると同社は主張する。(2013/2/21)

パワー半導体 SiCデバイス:
SiC-MOSFETの課題克服へ、新材料を用いたゲート絶縁膜で信頼性を向上
SiC-MOSFETの量産採用に向けた課題の1つとして挙げられているのが、酸化シリコンを用いたゲート絶縁膜に起因する動作時の信頼性の低さだ。大阪大学と京都大学、ローム、東京エレクトロンは、AlON(アルミニウム酸窒化物)を用いたゲート絶縁膜によって、SiC-MOSFETの信頼性を高める技術を開発した。(2012/12/11)

パワー半導体 SiCデバイス:
寿命「30億年」に「10年」が挑む
次世代パワー半導体の旗手として脚光を浴びるSiC(炭化ケイ素、シリコンカーバイド)。SiCパワー半導体を利用したシステム製品も登場しており、次は自動車への採用に期待が掛かる。だが、SiCにはまだまだ課題が残っていた。その1つが寿命だ。(2012/9/6)

パワー半導体 GaNデバイス:
LEDを一新した「GaN」、次は電力を変える
SiC(炭化ケイ素)と並んで次世代パワー半導体の旗手として脚光を浴びる「GaN」(窒化ガリウム)。しかし、実用化が進むSiCと比べて、GaNの開発は遅れているように見える。GaNを採用すると、SiCと同様に電力変換時の損失を低減できる。さらに、SiやSiCよりも高速なスイッチングが可能だ。これは電源の小型化に大いに役立つ。しかし、ノーマリーオフ動作が難しいという欠点もある。こちらは電源には向かない特性だ。GaNの長所を伸ばし、欠点をつぶす、このような開発が進んでいる。(2012/8/10)

TECHNO-FRONTIER 2012 パワー半導体:
第7世代のIGBT、ルネサスが13品種を製品化
ルネサス エレクトロニクスは、導通損失とターンオフ損失がいずれも低い第7世代のIGBTを製品化した。太陽光発電システムなどに向ける。(2012/7/13)

パワー半導体 SiCデバイス:
「省電力」技術には信頼性が欠かせない
省電力技術の重要性が一段と増している。国内の電力の6割を使うモーターの消費電力を引き下げたり、太陽光発電システムの出力量を高められる技術の注目度が高い。その鍵を握る技術の1つが「SiC」である。だが、SiCには弱点があった。信頼性が既存技術に比べて低い。どうすればよいのか。ロームの取り組みを紹介する。(2012/6/14)

パワー半導体:
新日本無線、パワーデバイス向けに銅太線ボンディング量産技術
新日本無線がアルミニウム電極への銅太線ワイヤボンディング量産技術を発表。低損失で環境性能も高い銅製ワイヤの配線によるパワーデバイスの量産技術が確立された。(2012/5/24)

パワー半導体:
電源から電力を取り出す逆転の発想とは?
サーバ用電源では効率向上が強く求められている。富士通研究所は電源内部で発生する性質の異なった2種類の損失を防ぐために、それぞれ新規開発の技術を適用、94.8%の最高効率を実現した。特にトランジスタ内で生じるスイッチング損失を、一種の「回生回路」で再利用する取り組みが新しい。さまざまな機器の電源に応用できる。(2012/5/11)

パワー半導体:
シリコンパワーMOSFETの性能改善、素子構造よりもパッケージが効く時代に
SiCやGaNを使う次世代パワー半導体の開発が進んでいるものの、当面は旧来のシリコン材料を用いたパワーMOSFETが広く使われるだろう。ただしシリコン品の性能を高めるには、もはや半導体素子構造の改良では間に合わない。ウエハー処理の後工程となる組み立てプロセスとパッケージ技術の進歩が貢献する。(2012/4/18)

パワー半導体 SiCデバイス:
いよいよSiCの時代へ、業界初の「フルSiCパワーモジュール」が量産
ロームは、パワーモジュールを構成するパワーMOSFETとショットキーバリアダイオード(SBD)に全てSiC材料を採用した品種の量産を開始する。独自の信頼性向上技術を開発することで量産体制を確立した。(2012/3/27)

パワー半導体:
未来の省エネ材料に新候補、“酸化ガリウム”のトランジスタ動作が初実証
酸化ガリウムは、SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)といった現在注目を集めるパワー半導体に比べ、バンドギャップが広いという特徴がある。酸化ガリウムを使った研究開発は始まったばかりだが、将来のパワー半導体材料としてさまざまな特徴がある。(2012/1/5)

パワー半導体 GaNデバイス:
パナソニックが業界初の統合設計ツールを開発、次世代パワー半導体に最適化
パナソニックが開発した統合設計プラットフォームでは、独自に開発したGaNデバイスモデルを導入したことで高速駆動時の回路特性を正確に評価できるようになった。(2011/12/27)

パワー半導体 SiCデバイス:
パナソニックの新構造SiC-MOSFET、SiCインバータの部品数/サイズ/コストを半減
パナソニックが開発したSiC-MOSFETは、素子内部に存在する寄生ダイオードをSiCインバータの還流ダイオードとして利用できる。このため、SiCインバータの部品点数、サイズ、コストを半減できるという。(2011/12/19)

パワー半導体 SiCデバイス:
デンソーがSiCデバイス開発を加速、2015年以降発売の次世代EV搭載を目指す
デンソーは、トヨタ自動車、豊田中央研究所と共同で開発しているSiCデバイスの開発目標を明らかにした。耐圧1200V/電流容量200AのSiC-MOSFETとSiC-SBDを6インチウエハーで製造することにより、コストを耐圧と電流容量が同じシリコンデバイスの2倍以下に抑えることで、2015年以降に市場投入される次世代EVへの搭載を目指す。(2011/12/9)

待望の次世代パワー半導体:
SiC/GaNデバイスは離陸間近
シリコン材料をベースとするパワー半導体と比べて、高速かつ低損失で動作する特性を備えているのが、SiCやGaNなどのワイドギャップ材料を用いた次世代のパワー半導体である。これまで、高いコストや歩留まりの低さなどによって、SiC/GaNデバイスの量産はなかなか立ち上がらなかった。しかし、2010年以降、複数のメーカーによる量産化の取り組みが加速している。(2011/10/25)

パワー半導体:
インフィニオン、300mm薄型ウエハーを使ったパワー半導体チップの初期生産に成功
Qimondaから買収したドレスデンの製造施設に、今回実証した300mm薄型ウエハー製造技術を導入する予定。(2011/10/18)

パワー半導体 SiCデバイス:
“世界最小”のオールSiCインバータをFUPETが開発、パワー密度は従来開発品の1.5倍に
NEDOとFUPETは、世界最小となる定格出力15kWのSiCインバータを開発したと発表した。電流容量の大きいSiCデバイスの採用や、誤動作を防ぐ積層セラミックコンデンサの内蔵により、従来開発品とほぼ同じサイズで出力電力を1.5倍に高めることに成功している。(2011/9/6)

パワー半導体 プロセス技術:
ICEMOSがMEMS技術を用いたSJ-MOSFETを開発、オムロンの野洲事業所に生産委託
ICEMOS TECHNOLOGYの高耐圧スーパージャンクションMOSFETは、MEMS技術を応用した製造技術により素子の微細化が容易である。今後、素子の微細化を行ってオン抵抗の小さい製品を開発する際には、競合他社品よりもコスト面で有利になるという(2011/8/5)

TECHNO-FRONTIER 2011 パワー半導体:
SiC/GaNデバイスの量産採用に向けた取り組みが加速――「TECHNO-FRONTIER 2011」から
ロームはSiCだけを用いたパワーモジュールを、サンケン電子は、GaNとSiCを組み合せた回路をデモした。IRジャパンはGaNを用いたD級アンプのデモを、富士電機はSiCとSiのハイブリッドモジュールを見せた。(2011/7/26)

TECHNO-FRONTIER 2011 パワー半導体:
【TF2011】次世代パワーデバイスで音質を向上、IRジャパンがGaN-FETをD級オーディオ向けに提案
IRジャパンは、耐圧150VのGaN FETを用いたD級オーディオシステムをデモ展示した。「高音質、低歪(ひずみ)率、768kHzという高い変調周波数、電力損失の低減、オーディオシステムの基板面積の削減などのメリットが得られる」という。(2011/7/22)

パワー半導体 GaNデバイス:
パワー半導体が変える電力の未来、GaNが先導か
限られた電力を有効に使うには、電力変換の効率を高める必要がある。電気自動車やスマートグリッド、家庭内の空調など求められる場面は多い。GaN(窒化ガリウム)パワー半導体を利用すれば、小型で高効率な変換器が手に入る。(2011/4/12)

パワー半導体 GaNデバイス:
「GaNの耐電力が10倍に」、降伏電圧を大幅に高める技術を米大が開発
 次世代パワー半導体の材料として期待されているGaN(窒化ガリウム)。ただしNorth Carolina State Universityの研究チームによると、250V付近を超えるとブレークダウン(降伏)現象が発生してしまうという課題があったという。同研究チームは、この現象が発生する電圧を1650Vまで高める技術を開発したと発表した。GaN半導体が扱える電力を10倍に高められるという。(2011/2/7)

パワー半導体 IGBT:
インフィニオン、IGBTのライセンスを中国の風力発電機メーカーに供与
風力タービンの電力変換器に使うパワー素子であるIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)スタックの製造ライセンスを供与する。発電機の可変周波数出力を当該地域の電力網に適した固定周波数に効率的に変換するためにIGBTを使う。(2010/12/14)

パワー半導体:
インフィニオン、テスラにパワー半導体を提供
インフィニオンのパワー半導体は、Tesla Motorsのスポーツカー仕様の電気自動車「Tesla Roadster」に採用されるほか、Roadsterに続く2車種目となる「Tesla Model-S」にも採用される見込みだという。(2010/11/29)

パワー半導体:
用途によって変わるMOSFETの選択基準
MOSFETは成熟した電子デバイスなので、品種の選定は一見簡単なように思える。確かにユーザーは、MOSFETのデータシートに記載されている性能指標(Figure of Merit:FOM)についてはよく理解している。ただし実際の品種選びでは、エンジニアが専門知識を駆使して、どのような機器に適用するかに合わせてMOSFETの特性を精査する必要がある。(2010/9/22)

パワー半導体 SiCデバイス:
SiC採用のエアコンを三菱電機が発売、消費電力量が最小に
機器の消費電力低減に役立つSiCパワー半導体(ダイオード)を採用したエアコンを三菱電機が製品化した。世界初だと主張する。(2010/8/24)

パワー半導体 SiCデバイス:
動き出すSiCパワー半導体、省エネルギーの切り札へ
CO2の25%削減目標やこれまでにない規模の太陽光発電の導入、米国や中国を中心に急速に立ち上がり始めたスマートグリッドなど、従来とは異なる省エネルギー対策が必要となってきた。いずれも電力の変換技術が必要不可欠だ。ところが、電力変換用に用いられてきたSi(シリコン)パワー半導体の性能はこれ以上伸びそうにない。このような状況で脚光を浴びているのが、実力でSiを大きく上回るSiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)を用いたパワー半導体である。例えば、SiCをインバーターに用いたときの損失は、従来のSi素子を用いたときに比べて1/100になる可能性がある。(2010/6/15)



バーチャルリアリティを楽しむためのヘッドマウントディスプレイ。初音ミクとの対面用と思われている節もあるが、それも含めて日本市場は重要視されている。Facebookが買収をしており、今後どのような用途が実現するのか楽しみにしたい。

LTE対応の端末でも音声通話については実は3Gが利用されていたが、それもいよいよLTEに切り替えられようとしている。ユーザーにはなにが違うのか伝わりにくいが、通信キャリアにとっては通信がIP化され、電波利用効率の高いLTE網を利用できるようになるなど、大きな変更になる。

タブレットといえばiPadかAndroidと思われていたが、ここに来てWindowsタブレットも存在感を見せている。艦これが動くから、という理由で売れているという話もあるが、MicrosoftがSurfaceブランドでより小型な端末を計画しているという噂が出るなど、8型前後のWindowsタブレットがひとつの製品分野として今後も注目を集めそうだ。

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