福田昭のストレージ通信次世代メモリ、STT-MRAMの基礎（2）：STT-MRAMの概要と応用の可能性 (2/2)

[福田昭，EE Times Japan]

STT-MRAMの特徴と応用の可能性

　STT-MRAMは、非常に重要ないくつかの特徴を備える。不揮発性であること（待機時の消費電流をゼロにできる）、金属配線の製造工程と互換性があること、原理的には書き換え回数の制限がないこと、高密度化と微細化を進められること、読み出しと書き込みに要する時間が短いこと、などである。

　これらの特徴から、コンピュータ・システムにおいてSTT-MRAMの応用の可能性としてまず考えられるのは、ラストレベルキャッシュと主記憶である。ラストレベルキャッシュと主記憶が不揮発性になることで、待機時消費電力が低下するとともに、システムの使い勝手が向上する。

　STT-MRAMの高速化が進み、サブナノ秒のスイッチングが安定的に実現できると、2次キャッシュとラストレベルキャッシュ、主記憶をSTT-RAMで統合する可能性が出てくる。さらに将来は、STT-RAMとロジック回路を混在させることで、メモリアクセスのボトルネックを解消したシステムが実現されるかもしれない。

STT-MRAMの特徴（上）と、メモリ階層における応用の可能性（下）（クリックで拡大）出典：CNRS

（次回に続く）

⇒「福田昭のストレージ通信」連載バックナンバー一覧

熊本地震、半導体各社が工場の被害確認急ぐ
2016年4月14日夜に発生した熊本県を震源地とする大きな地震の発生を受け、熊本県内に製造拠点を持つルネサスエレクトロニクスなどの半導体メーカーでは翌15日朝から、被害状況の確認を急いでいる。
ルネサス川尻工場、22日より一部工程で生産再開
ルネサスエレクトロニクスは、熊本市の川尻工場について、4月22日より一部工程において生産を再開する。
PCIe SSDの性能を引き出す「NVMe」
今回はNVMe（Non-Volatile Memory Express）を紹介する。NVMeはストレージ向けのホスト・コントローラ・インタフェースの1つで、PCIe（PCI Express）インタフェースを備えた高速のSSDを対象にした規格仕様である。
“メモリ大国”を目指す中国（前編）
中国がメモリ技術の開発に注力している。中国のファウンドリーであるXMCは、「3D NAND型フラッシュメモリでSamsung Electronicsに追い付く」と、非常に積極的な姿勢を見せている。