共同開発の終了で：「3D XPoint」、Intelは強気もMicronは手を引く？ (2/2)

[Rick Merritt，EE Times]

稼働していないLehi工場

　3D XPointが発表されてから既に3年近くが経過している。米国の半導体調査会社であるObjective Analysisで主席アナリストを務めるJim Handy氏は、「ただ、SSDが3D XPointの高速性をうまく活用できないでいる、ということが分かるまでに長い時間はかからなかった」と述べる。Handy氏によると、「IntelとMicronの合弁フラッシュメモリ製造会社IM Flashが所有する米国ユタ州Lehi（リーハイ）の工場は最近、稼働していない状態だ。過去6カ月間に同工場で製造された製品は、3D XPointメモリだけだ」という。

　「これは、3D XPointベースのSSDには過剰在庫があり、販売にも力を入れていないことを示唆している。このSSDはそれほど訴求力のある製品ではないのだろう。NAND型フラッシュSSDよりも性能が優れているとされているものの、非常に高額だ」（Handy氏）

　Handy氏は、「Intelは、3D XPointを使った製品を販売する唯一の企業になると思われる。3D XPoint関して、MicronとIntelは異なる事業形態を取っている」と指摘した。

Lehi工場出典：IM Flash（クリックで拡大）

【翻訳：滝本麻貴、田中留美、編集：EE Times Japan】

原文へのリンク

NORフラッシュと3D XPointの動向
今回は市場が縮小傾向にある「NORフラッシュメモリ」と、2015年夏にIntelとMicron Technologyが発表した「3D XPoint（クロスポイント）メモリ」について、紹介する。
IEDMで発表されていた3D XPointの基本技術（前編）
米国で開催された「ISS（Industry Strategy Symposium）」において、IntelとMicron Technologyが共同開発した次世代メモリ技術「3D XPoint」の要素技術の一部が明らかになった。カルコゲナイド材料と「Ovonyx」のスイッチを使用しているというのである。この2つについては、長い研究開発の歴史がある。前後編の2回に分けて、これらの要素技術について解説しよう。
Intel、3D NANDとOptaneのメモリ技術に注力
Intel（インテル）は、メモリ事業において、「3D NAND」と「Optane」の2つの先端不揮発性メモリ技術をベースとしたSSD（Solid State Drive）製品などに注力していく。
UMCとMicron、メモリ関連で特許係争に発展
台湾のUMCが、Micon Technologyの中国の子会社を提訴した。メモリチップ関連で、特許侵害があったとする。
100万回超の書き換えに対応する高信頼次世代NOR
Cypress Semiconductor（サイプレスセミコンダクタ）は2018年6月7日、記者説明会を開催し、2018年5月に発表した車載や産業機器など安全性、信頼性を重視する用途向けの新しいNOR型フラッシュメモリ製品群「Semperフラッシュファミリ」の詳細を説明した。
EUVを適用した小型SRAMセル、imecらが発表
フラッシュメモリの発明者が率いる新興企業Unisantis Electronics Singapore（以下、Unisantis）が、ベルギーの研究機関imecと共同開発を進めてきた、小型SRAMセルに関する発表を行った。