新材料で次々世代を狙う「強誘電体メモリ（FeRAM）」：福田昭のストレージ通信（156） 半導体メモリの技術動向を総ざらい（15）（1/2 ページ）

NRAMとFeRAMが次々世代の不揮発性メモリ

　2018年8月に米国シリコンバレーで開催された、フラッシュメモリとその応用製品に関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット（FMS：Flash Memory Summit）」でMKW Venture Consulting, LLCでアナリストを務めるMark Webb氏が、「Annual Update on Emerging Memories」のタイトルで講演した半導体メモリ技術に関する分析を、シリーズでご紹介している。

　なお講演の内容だけでは説明が不十分なところがあるので、本シリーズでは読者の理解を助けるために、講演の内容を適宜、補足している。あらかじめご了承されたい。

　本シリーズの前回から、次世代メモリの有力候補入りを目指す、2つの次世代不揮発性メモリ技術をご紹介している。1つは「カーボンナノチューブメモリ（NRAM：Nanotube RAM）」、もう1つは「強誘電体メモリ（FeRAM：Ferroelectric RAM）」である。前回はカーボンナノチューブメモリ（NRAM）技術をご説明した。今回はもう1つのメモリ技術である、強誘電体メモリ（FeRAM）をご紹介する。

強誘電体メモリ（FeRAM）の記憶原理

　強誘電体とは、外部から電界を加えると分極が生じ、なおかつ外部の電界をゼロにしても分極が残る絶縁体を指す。強誘電体の薄膜を金属の電極で挟んだ3層構造（「強誘電体キャパシター」と呼ぶ）を作ると、それだけで不揮発性の記憶素子となる。分極の向きが、論理値の「高」あるいは「低」に対応する。

　最も一般的なメモリセルは、MOSFETをセル選択トランジスタ（Tと略記）、強誘電体キャパシターを記憶素子（Cと略記）とする。1個のセル選択トランジスタと1個の記憶素子で構成されたセル（1T1Cセル）が、この方式では最も密度が高い。

　セル選択トランジスタと記憶素子を1個のトランジスタで実現した高密度なメモリセル（1Tセル）もある。MOSFETのゲート絶縁膜の一部に強誘電体の薄膜を使ったトランジスタで、「強誘電体トランジスタ（FeFET）」と呼ばれる。FeFETによる1Tセルを実現できることが、強誘電体メモリ技術の大きな特徴となっている。

DRAMセル（左）と強誘電体メモリセル（中央および右）の構造図。2017年5月に開催された国際学会「国際メモリワークショップ（IMW）」のショートコースでNaMLabが講演したスライドから（クリックで拡大）