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» 2019年07月30日 13時30分 公開

富士通セミコンダクター:容量8MビットのReRAMを製品化

富士通セミコンダクターは2019年7月30日、抵抗変化型メモリ(以下、ReRAM)として8Mビット容量品を2019年9月から販売すると発表した。同社では「ReRAMの量産製品としては世界最大容量」としている。

[竹本達哉,EE Times Japan]

 富士通セミコンダクターは2019年7月30日、抵抗変化型メモリ(以下、ReRAM)として8Mビット容量品を2019年9月から販売すると発表した。パナソニック セミコンダクターソリューションズと共同で開発したメモリ製品で、富士通セミコンダクターでは「ReRAMの量産製品としては世界最大容量」としている。

8Mビット容量のReRAM「MB85AS8MT」

 9月から販売するReRAM「MB85AS8MT」は、1.6〜3.6Vの電源電圧で動作し、EEPROM互換のコマンドおよびタイミングで動作するSPIインタフェースを備える。パッケージは、EEPROMとピン互換の8ピンSOPと、ウェアラブル端末に搭載可能な2×3mmサイズの11ピンWL-CSPの2種類がある。

新製品の主な仕様
製品名 MB85AS8MT
メモリ容量(構成) 8Mビット(1Mワード×8ビット)
インタフェース SPI(Serial Peripheral Interface)
動作電源電圧 1.6〜3.6V
動作周波数 最大10MHz
読み出し動作電流 0.15mA(平均値、5MHz動作時)
ライトサイクル時間 10ミリ秒
ページサイズ 256バイト
書き込み保証回数 100万回
読み出し保証回数 無限回
データ保持特性 10年(+85℃)
パッケージ 11ピンWL-CSP、8ピンSOP
富士通セミコンダクターの資料を元に作成

 5MHz動作時の平均読み出し電流は0.15mAで「EEPROMの読み出し電流(=3.0mA)に比べてわずか5%」(富士通セミコンダクター)とする。同社では、電池駆動のウェアラブル端末である補聴器、スマートウォッチ、スマートバンドなどでの採用を見込んでいる。

ReRAM「MB85AS8MT」の主な特長と想定採用用途 出典:富士通セミコンダクター

 富士通セミコンダクターは、これまでEEPROMやシリアルフラッシュメモリに比べ、高書換え耐性や高速書き込みを備える強誘電体メモリ(FRAM)製品とともに、書き換えは頻繁ではないが何度もデータの読み出しをするアプリケーションに向けて読み出し時の電流が少ないReRAMを2016年10月から提供。これまで提供してきたReRAMの容量は4Mビットだった。

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