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» 2019年08月30日 09時30分 公開

「世界初」と同社:Micron、1Znm世代のDDR4の量産を日本と台湾で開始

米Micron Technology(以下、Micron)は2019年9月15日(米国時間)、1Znmプロセスを採用した16GビットのDDR4の量産を開始すると発表した。1Znm世代での量産は「世界初」(同社)とする。

[村尾麻悠子,EE Times Japan]
画像:Micron Technology

 米Micron Technology(以下、Micron)は2019年9月15日(米国時間)、1Znmプロセスを採用した16GビットのDDR4の量産を開始すると発表した。1Znm世代での量産は「世界初」(同社)とする。Micronによれば、同DDRは日本と台湾の両方の工場で製造されるという。

 量産をスタートする16GビットDDR4は、前世代(1Ynm世代)のプロセスを用いた8GビットDDR4ベースの製品と比較して消費電力を約40%削減できるという。

 Micronはリリースで「コンピューティングDRAM(DDR4)、モバイルDRAM(LPDDR4)、グラフィックスDRAM(GDDR6)に向けた製品の相対的な性能と消費電力を改善する。特に、AI(人工知能)、自動運転車、5G(第5世代移動通信)、ネットワークインフラやサーバといったアプリケーションの重要な差異化要因となる」とコメントしている。

 併せてMicronはモバイル機器向けに、モノリシックの16GビットLPDDR4X DRAMの量産も1Znmプロセスで開始すると発表した。16GビットLPDDR4Xのダイは、単一のパッケージに最大8個までスタックでき、最大16Gバイトを実現できる。前世代のLPDDR4で使用されているパッケージの実装面積を増やさずに、メモリ容量を倍にできるという。

 動作クロックは最大で4266Mビット/秒(bps)。4K動画の再生など負荷の高いアプリケーションにおいて、前世代品と比較して最大10%消費電力を削減できる。

 新しいLPDDR4X DRAMは、ディスクリートおよび、64Gバイト+3Gバイト〜256Gバイト+8Gバイトの範囲で、UFSベースのマルチチップパッケージ(uMCP4)の構成で提供される。

 Micronは2019年6月に広島のDRAM工場の、同年8月にはシンガポールのNAND型フラッシュメモリ工場の拡張完了と稼働開始を発表したばかりである。

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