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» 2019年12月12日 09時30分 公開

「エッジAIに最適」と強調:ラティス、28nmFD-SOIの新FPGAプラットフォーム (1/2)

Lattice Semiconductor(ラティスセミコンダクター)は2019年12月10日(米国時間)、28nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン ・インシュレーター)を採用した新たな低消費電力FPGAプラットフォーム「Nexus」および、その最初の製品となる「CrossLink-NX」を発表した。

[永山準,EE Times Japan]

 Lattice Semiconductor(ラティスセミコンダクター)は2019年12月10日(米国時間)、28nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン ・インシュレーター)を採用した新たな低消費電力FPGAプラットフォーム「Nexus」および、その最初の製品となる「CrossLink-NX」を発表した。

FPGA製品、プラットフォームでの展開に転換

 ラティスセミコンダクターはFPGA製品の展開について、これまでのようなファミリーごとに製品を作っていく手法から、1つのプラットフォームで複数製品をリリースする新たな手法に転換。デザインを最大限利用することで、開発コストを抑えるとともに、製品リリース期間の短縮も図っていくという。今回発表したNexus以降についても、同様にプラットフォーム展開を行っていく予定だ。

1つのFPGAプラットフォームから複数の製品をリリースする手法に転換(クリックで拡大)出典:Lattice Semiconductor

 Nexusは、Samsung Foundryの28nm FD-SOIプロセステクノロジーを採用しており、バルク技術を採用した従来のFPGAと比較し、トランジスタのリーク電流を50%低減することが可能になっているという。また、同社のアジアパシフィック地域事業開発担当ディレクターを務めるYing Chen(イン・チェン)氏は、「FD-SOI採用によて、例えばハイパフォーマンスを目指すためには従来なら『プロセスを変えて新しいシリコンで』という形になったが、FD-SOIであればバックバイアスの電圧を変えるだけで対応ができる。デバイスごとにパフォーマンスと電力を最適化できることになる」とも強調した。

FD-SOI採用で低消費電力を実現。デバイスごとにパフォーマンスと電力を最適化できる(クリックで拡大)出典:Lattice Semiconductor

 さらに、クリティカルエリアサイズが削減されるFD-SOIの採用によって、バルク技術を採用した従来のFPGAと比較しソフトエラーレートに対する信頼性が100倍上昇しているといい、「車載、産業機器や通信インフラ、データセンターなど信頼性が求められるアプリケーションに最適だ」としている。

左=FD-SOI採用による高信頼性について/右=ロジック当たり最大の内蔵メモリなどAIプロセッシングにも最適と言及(クリックで拡大)出典:Lattice Semiconductor

 小型化については、4入力ルックアップテーブル(LUT4)を採用したことで、6入力ルックアップテーブル(LUT6)を用いた他社製FPGAと比べ10分の1のサイズになったと紹介。Chen氏は、「スピードはLUT6のほうが優れているかもしれないが、市場を調査のうえで、ニーズに十分こたえられると判断した」と話していた。また、ロジック当たり最大の内蔵メモリを搭載したほか、短時間でIOを起動できるよう設計しているなど、「高性能エッジAIプロセッシングに最適な製品となっている」とも強調していた。

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