メディア
連載
» 2021年04月20日 11時30分 公開

次世代半導体メモリの開発ロードマップ福田昭のストレージ通信(193) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(20)(1/2 ページ)

今回から、「次世代メモリ(Emerging Memory)」の講演部分を紹介する。

[福田昭,EE Times Japan]

磁気メモリや相変化メモリ、抵抗変化メモリなどの動向を紹介

 フラッシュメモリとその応用に関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット(FMS:Flash Memory Summit)」が2020年11月10日〜12日に開催された。FMSは2019年まで、毎年8月上旬あるいは8月中旬に米国カリフォルニア州サンタクララで実施されてきた。COVID-19(新型コロナウイルス感染症)の世界的な大流行(パンデミック)による影響で、2020年のFMS(FMS 2020)は開催時期が3カ月ほど延期されるとともに、バーチャルイベントとして開催された。

 FMSは数多くの講演と、展示会で構成される。その中で、フラッシュメモリを含めた不揮発性メモリとストレージの動向に関するセッション「C-9: Flash Technology Advances Lead to New Storage Capabilities」が興味深かった。このセッションは4件の講演があり、その中でアナリストによる3件の講演が特に参考になったので、講演の概要をご紹介する。

 なお講演の内容だけでは説明が不十分なところがあるので、本シリーズでは読者の理解を助けるために、講演の内容を適宜、補足している。あらかじめご了承されたい。

 本シリーズの第10回から、技術調査会社TechInsightsでシニア技術フェローをつとめるJeodong Choe氏が「Technology Trend:NAND & Emerging Memory(NANDフラッシュメモリと次世代メモリの技術動向)」と題して講演した内容を説明している。前回(第19回)までは、3D NANDフラッシュメモリ(以降は「3D NANDフラッシュ」と表記)の講演部分を紹介してきた。今回からは、「次世代メモリ(Emerging Memory)」の講演部分をご報告していく。

講演のアウトライン。3D NANDフラッシュの開発ロードマップと要素技術、次世代メモリと埋め込みメモリの開発ロードマップなどを解説する。出典:FMS 2020の講演「Technology Trend:NAND & Emerging Memory」の配布資料(クリックで拡大)

 講演でふれた次世代半導体メモリは、以下の通りである。磁気抵抗メモリ(MRAM)、スピン注入型磁気抵抗メモリ(STT-MRAM)、相変化メモリ(PCRAM)、クロスポイントメモリ(XPoint)、抵抗変化メモリ(ReRAM)、メムリスタ、強誘電体メモリ(FeRAM)、ナノチューブメモリ(NRAM)、キャッシュ用埋め込みDRAM(eDRAM)、埋め込みフラッシュメモリ(eFLASH)。始めはこれらのメモリに関する開発実績と将来予測のロードマップを提示した。上記のメモリの中でeDRAM以外は全て、不揮発性メモリである。

次世代半導体メモリの開発ロードマップ。2013年から2023年までのロードマップを提示した。ただし配布資料では、詳しい内容を隠している。出典:FMS 2020の講演「Technology Trend:NAND & Emerging Memory」の配布資料(クリックで拡大)
       1|2 次のページへ

Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

RSSフィード

公式SNS

All material on this site Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
This site contains articles under license from AspenCore LLC.