米国のルネサスが販売している8MビットのSTT-MRAM：福田昭のストレージ通信（194） アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向（21）（1/2 ページ）

MRAMとSTT-MRAMの製品化事例を報告

　フラッシュメモリとその応用に関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット（FMS：Flash Memory Summit）」が2020年11月10日〜12日に開催された。FMSは2019年まで、毎年8月上旬あるいは8月中旬に米国カリフォルニア州サンタクララで実施されてきた。COVID-19（新型コロナウイルス感染症）の世界的な大流行（パンデミック）による影響で、2020年のFMS（FMS 2020）は開催時期が3カ月ほど延期されるとともに、バーチャルイベントとして開催された。

　FMSは数多くの講演と、展示会で構成される。その中で、フラッシュメモリを含めた不揮発性メモリとストレージの動向に関するセッション「C-9: Flash Technology Advances Lead to New Storage Capabilities」が興味深かった。このセッションは4件の講演があり、その中でアナリストによる3件の講演が特に参考になったので、講演の概要をご紹介する。

　なお講演の内容だけでは説明が不十分なところがあるので、本シリーズでは読者の理解を助けるために、講演の内容を適宜、補足している。あらかじめご了承されたい。

　本シリーズの第10回から、技術調査会社TechInsightsでシニア技術フェローをつとめるJeodong Choe氏が「Technology Trend：NAND ＆ Emerging Memory（NANDフラッシュメモリと次世代メモリの技術動向）」と題して講演した内容を説明してきた。前回（第20回）からは、「次世代メモリ（Emerging Memory）」の講演部分を紹介している。前回では、次世代半導体メモリの開発ロードマップを報告した。具体的には、磁気抵抗メモリ（MRAM）、スピン注入型磁気抵抗メモリ（STT-MRAM）、相変化メモリ（PCRAM）、クロスポイントメモリ（XPoint）、抵抗変化メモリ（ReRAM）、メムリスタ、強誘電体メモリ（FeRAM）、ナノチューブメモリ（NRAM）、キャッシュ用埋め込みDRAM（eDRAM）、埋め込みフラッシュメモリ（eFLASH）の開発実績と将来予測のロードマップを提示した。

講演のアウトライン。3D NANDフラッシュの開発ロードマップと要素技術、次世代メモリと埋め込みメモリの開発ロードマップなどを解説する。出典：FMS 2020の講演「Technology Trend：NAND ＆ Emerging Memory」の配布資料（クリックで拡大）

　今回から、磁気抵抗メモリ（MRAM）およびスピン注入型磁気抵抗メモリ（STT-MRAM）の製品化事例を順次、記述する。取り上げる開発企業は、Avalanche Technology、Everspin Technologies、Samsung Electronicsの順番となる。始めは、MRAMおよびSTTT-MRAMの開発ベンチャーであるAvalanche Technology（以降はAvalancheと表記）の製品事例をChoe氏の講演からご紹介しよう。