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「GLOBALFOUNDRIES」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「GLOBALFOUNDRIES」に関する情報が集まったページです。

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
「プロセッサIPを出せばいい」時代の終了、Armはどう対処するか
Armは2018年5月から6月にかけて多くのプレスリリースを出している。それらを俯瞰してみると、もう単純に「プロセッサIPだけを提供していればいい」という時代ではないことがよく分かる。その時代にArmはどう対処しようとしているのか。(2018/7/13)

福田昭のストレージ通信(108) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(8):
磁気トンネル接合(MTJ)におけるSRAM代替用とフラッシュ代替用の違い
SRAM代替用MRAMとフラッシュメモリ代替用MRAMでは、磁気トンネル接合(MTJ)の特性がどのように異なるのだろうか。(2018/7/6)

譲渡額は約576億円の見込み:
UMCが三重富士通を買収へ、全株式の取得で合意
台湾の専業ファウンドリーであるUMC(United Microelectronics Corporation)と富士通セミコンダクターは2018年6月29日、三重富士通セミコンダクター(MIFS)の全株式をUMCが取得することで合意したと発表した。(2018/6/29)

福田昭のストレージ通信(107) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(7):
埋め込みMRAMの磁気トンネル接合(MTJ)に要求される条件
多層配線の製造工程に磁気トンネル接合(MTJ)の製造プロセスを組み込むと、どのようなことがMTJに要求されるようになるのか。今回は、その要求を解説する。(2018/6/29)

SEMI:
半導体前工程ファブ製造装置への投資、記録更新続く
SEMIが、半導体前工程ファブへの投資が4年連続の増加になる見込みであると明らかにした。2019年はIntelやSK Hynix、TSMC、Samsung、GLOBALFOUNDRIESなど外資系企業が大きく投資することから、中国が前年度比57%という高い伸びを示すと予想される。(2018/6/26)

福田昭のストレージ通信(106) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(6):
埋め込みMRAMのメモリセルと製造プロセス
今回は、ロジックへの埋め込みに向けたMRAMのメモリセルと製造プロセスについて解説する。(2018/6/21)

Centriq:
Arm SoCの開発部門を秘かに閉鎖していたQualcomm
Qualcommは2018年5月、データセンター向けのArmベースSoC(System on Chip)「Centriq」の開発部門を秘かに閉鎖した。これは、2016年10月に発表したNXP Semiconductors(以下、NXP)との合併による、10億米ドル規模のコスト削減の一環として計画されていたことだった。(2018/6/19)

工場閉鎖は行わず:
GLOBALFOUNDRIES、従業員の5%を削減へ
GLOBALFOUNDRIESは2018年6月、業績改善策の一環として、従業員の5%を削減するリストラを開始した。工場の閉鎖や既存のサービスの削減を行う予定はないとしている。(2018/6/15)

1993〜1997年に次ぐ記録へ:
前工程ファブ製造装置投資額、2019年まで拡大継続
SEMIは、半導体前工程ファブ用製造装置への投資額を発表した。2019年まで4年連続の拡大が続くとみている。(2018/6/14)

福田昭のストレージ通信(105) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(5):
MRAMのメモリセルと読み書きの原理
今回は、MRAMのメモリセルの構造と、データの読み出しと書き込みの原理をご説明する。(2018/6/12)

福田昭のストレージ通信(104) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(4):
IoT/自動車向けMRAMに対する要求仕様とデータ書き換え特性
埋め込みフラッシュメモリの置き換えを想定したMRAM(eMRAM-F)と、埋め込みSRAMの置き換えを想定したMRAM(eMRAM-S)が、IoT(モノのインターネット)や自動車で使われる場合、どういった仕様が要求されるのか。データの書き換え特性を中心に解説する。(2018/6/4)

Samsungは2018年内にも適用開始:
量産に向けた「EUV」の導入、最終段階へ
次世代のリソグラフィ技術を立ち上げようとする20年に及ぶ努力が、最終段階に入った。EUV(極端紫外線)ステッパーを量産向けに導入することについて、複雑な課題があるにもかかわらず、専門家らは楽観的な見方を維持している。(2018/6/1)

18年後半にはEUV適用の7nmも:
Samsung、3nm「GAA FET」の量産を2021年内に開始か
Samsung Electronicsは、米国カリフォルニア州サンタクララで2018年5月22日(現地時間)に開催したファウンドリー技術の年次フォーラムで、FinFETの後継アーキテクチャとされるGAA(Gate All Around)トランジスタを2021年に3nmノードで量産する計画を発表した。(2018/5/25)

福田昭のストレージ通信(103) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(3):
埋め込みMRAM技術がフラッシュとSRAMを置き換えへ
今回は、GLOBALFOUNDRIESが提供する埋め込みMRAMマクロの概要を解説する。(2018/5/25)

福田昭のストレージ通信(102) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(2):
微細化限界に達したフラッシュをMRAMで置き換え
埋め込みフラッシュメモリが直面する課題は、微細化の限界である。GLOBALFOUNDRIESは、2xnm以下の技術世代に向けた埋め込み不揮発性メモリとして、MRAM(磁気抵抗メモリ)を考えている。(2018/5/15)

福田昭のストレージ通信(101) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(1):
記憶容量と書き換え回数から最適な埋め込みメモリを選択
半導体デバイス技術に関する国際会議「IEDM」で行われたセミナー「Embedded MRAM Technology for IoT & Automotive(IoTと自動車に向けた埋め込みMRAM技術)」の概要を今回からシリーズで紹介する。(2018/5/9)

VLSIシンポジウム2018プレビュー:
非接触心拍センサーから7nmプロセスまで、VLSIの今
「Symposium on VLSI Technology」と「Symposium on VLSI Circuits」が2018年も米国ハワイ州ホノルルで開催される。本稿では、両会議の概要と注目論文を紹介する。(2018/4/18)

この10年で起こったこと、次の10年で起こること(23):
AMDは2016、Intelは2014……。最新CPUチップの刻印が意味するもの
今回は、脆弱性問題で揺れるAMDやIntelの最新プロセッサのチップに刻まれた刻印を観察する。チップに刻まれた文字からも、両社の違いが透けて見えてくる。(2018/4/2)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
「鶏と卵」を抜け出しそうな、Armサーバの現在地
Armといえばスマートフォンから車載、産業機器まで広く使われる組み込み機器向けという印象が強いものの、最近ではサーバ市場での利用を見込む動きも強くなっている。Intelが強みを持つ市場であるが支持の輪は広がっている、その「現在地」とは。(2018/3/12)

レジストにも課題が:
EUV、5nm付近でランダム欠陥 imecが報告
EUV(極端紫外線)リソグラフィの5nmプロセスで、ランダム欠陥が発生することを、imecの研究者が報告した。(2018/3/5)

これまでの協業関係を維持:
Qualcomm、5G対応SnapdragonにSamsungの7nm EUVを適用
Qualcommは2018年2月、同社の5G(第5世代移動通信)チップセット「Snapdragon」に、Samsung ElectronicsのEUV(極端紫外線)リソグラフィを導入した7nm LPP(Low Power Plus)プロセス技術を適用することを発表した。(2018/2/27)

掲げている目標に遠く及ばず:
中国の半導体政策は「無謀」、各国の警戒も強まる
半導体産業の強化に注力する中国だが、目標の到達には計画以上の時間が必要なようだ。資金力をものにM&Aを進めようとする姿勢に対し、警戒を強める国もある。【訂正】(2018/2/2)

ファウンドリー各社の動向:
7nmプロセスの開発が加速、EUVの導入も現実的に
ファウンドリー各社が7nmプロセスの開発を加速している。さらに、半導体製造装置メーカーのASMLもEUV(極端紫外線)リソグラフィシステムの開発を順調に進めている。(2018/1/29)

RISC-V Day 2017 Tokyo:
「RISC-V」はEmbeddedでマーケットシェアを握れるのか
2017年12月に開催された「RISC-V Day 2017 Tokyo」から、著者が注目した4つの講演を紹介する。(2018/1/17)

12nm CPUや7nm GPU含め:
AMD、GPU/CPUの新ロードマップを発表
AMDは「CES 2018」のプレスカンファレンスにおいて、CPUとGPUのロードマップを発表。12nmプロセスCPUと7nmプロセスGPUの計画の詳細を明らかにした。(2018/1/12)

CES 2018:
AMDが第2世代Ryzenを4月に投入 長期ロードマップも公開
CES 2018にあわせてAMDが「AMD Tech Day」を開催。2018年第1四半期に投入する製品群の概要を公開した。(2018/1/8)

中国での売上高の伸びを受け:
TSMC、南京の16nmプロセス工場建設を前倒し
TSMCが中国での生産活動を加速する。中国 南京に工場を建設する計画を前倒しにする予定だ。(2017/12/13)

福田昭のデバイス通信(123) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(7):
IEDM 2017の講演3日目(12月6日)午前:10nm世代と7nm世代の半導体量産技術
12月6日午前のセッションから、注目講演を紹介する。メモリセルと論理演算を統合することで脳神経回路を模倣する研究の成果や、10nm/7nm世代のCMOSロジック量産技術についての発表が行われる。(2017/11/28)

福田昭のデバイス通信(121) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(5):
IEDM 2017の講演2日目(12月5日)午後(その1):記憶密度を2倍に高める3D NAND技術
今回から、12月5日午後の注目講演を順次紹介していく。電荷ベースのメモリ、最先端CMOSのさらなる微細化手法、最先端の金属ゲート技術やコンタクト技術など、興味深いテーマが並ぶ。(2017/11/21)

福田昭のストレージ通信(86) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(7):
まとめ:新世代のメモリを創造する二酸化ハフニウム/ジルコニウム
今回は、強誘電体メモリに関する2つのシリーズ「強誘電体メモリの再発見」と「反強誘電体が起爆するDRAM革命」の要点をまとめる。2011年に二酸化ハフニウム強誘電体が公表されてからの研究成果を振り返るとともに、これからの課題についても触れておきたい。(2017/11/2)

TSMCも工場を建設:
中国でファウンドリー事業が加速
TSMCなど大手専業ファウンドリーが、中国に製造工場を建設し始めている。中国のファウンドリーの売上高成長率は、世界のファウンドリーの売上高成長率に比べて2倍以上になる見込みだ。(2017/10/26)

Intelの10nm、GFの7nm:
最先端プロセスの最新論文が一堂に IEDM 2017
2017年11月に米国で開催される「IEDM」では、IntelやGLOBALFOUNDRIES(GF)が、それぞれの最先端プロセスの詳細を発表するようだ。その他、FinFETに代わる次世代トランジスタ技術に関する論文発表などが相次ぐ。(2017/10/20)

新たなビジネスモデルの構築へ:
車載分野に本腰を入れるGLOBALFOUNDRIES
GLOBALFOUNDRIESが、新たな自動車プラットフォームである「AutoPro」を発表した。車載分野向けの技術提供に本腰を入れるGLOBALFOUNDRIESは、ティア1や半導体メーカーではなく、自動車メーカーと直接パートナーシップを結ぶという、これまでになかったビジネスモデルを築こうとしている。(2017/10/17)

SamsungとTSMCは導入へ向け加速:
IntelはEUV競争を静観か、導入時期は明言避ける
EUV(極端紫外線)リソグラフィの開発、導入をめぐって競争を続けてきたIntel、Samsung Electronics、TSMCだが、ここのところIntelは、1歩引いて静観しているようだ。(2017/10/12)

市場の見通しは明るい:
「MRAMの導入は速く進む」 STTが強気な見解
MRAMを手掛ける数少ない新興企業の1つSpin Transfer Technologies(STT)は、MRAMの根本的な課題を解決する技術の開発を進めているという。CEOに着任したばかりのTom Sparkman氏は、「MRAMの導入は、予想よりもはるかに速く進むのではないか」との見方を示す。(2017/9/15)

福田昭のストレージ通信(76) 強誘電体メモリの再発見(20):
二酸化ハフニウムを使った強誘電体トランジスタの研究開発(前編)
今回から、「二酸化ハフニウム系強誘電体材料」を使った強誘電体トランジスタ(FeFET)の研究開発状況を報告する。二酸化ハフニウム系強誘電体薄膜は、厚みがわずか7nm程度でも強誘電性を有することが確認されていて、このため、FeFETを微細化できることが大きな特長となっている。(2017/9/15)

超高速ネットワークの挫折と復活【第2回】
25G/40GBASE-Tの普及を阻む「大きすぎる消費電力」
期待は大きいのに普及が遅れている“10Gbps級”ネットワークの問題克服への挑戦を記したこの物語。ようやく問題解決の道筋が見えてくる……はずだったが。(2017/8/23)

バラして見ずにはいられない:
Galaxy S8+には“最先端”の中身が詰まっていた
Samsungの最新スマートフォン「Galaxy S8+」の分解レポートをお届けする。中身を見ると、最先端の部品が詰まっている。気になるバッテリーのメーカーも調べた。(2017/8/3)

今後の半導体業界を見据え:
パッケージングとEDAの技術革新が必要 AMDのCTO
AMDは現在、7nmプロセスの実用化に向けて開発を加速している。同社の製品のうち、7nmプロセスを最初に適用するプロセッサは「Zen 2」「Zen 3」の予定だ。AMDのCTOを務めるMark Papermaster氏は、プロセスの微細化や、「ムーアの法則プラス」の時代では、パッケージング技術とEDAツールにおける技術革新が必要になると話す。(2017/7/26)

ASMLが「SEMICON West」でデモ:
EUVが実現間近か、250Wの光源を達成
ASMLが、「SEMICON West 2017」で、250WのEUV(極端紫外線)光源を用いたデモを披露した。EUVリソグラフィ用を商用化するには、250Wの光源が1つのマイルストーンとされているため、実際の量産ラインでの実用化は間近かもしれないという期待が膨らむ。(2017/7/20)

Samsungには大きな損失:
Qualcomm、7nmチップ発注先をTSMCに切り替えか
韓国のET Newsによると、Qualcommは7nmのSnapdragon SoC(System on Chip)の発注先をTSMCに切り替える。この報道が正しければ、Samsungの2018年のファウンドリ事業は多大な痛手を被る。7nmのSnapdragon SoCは、2017年末か2018年早々に発表されることが予想される。(2017/6/19)

FinFET代替なるか:
IBM、5nmナノシートで画期的成果を発表
IBMなどが積層シリコンナノシートをベースにした新しいトランジスタ(シリコンナノシートトランジスタ)アーキテクチャを開発した。5nmノードの実現に向けて、FinFETに代わる技術として注目される。(2017/6/12)

2018年に7nmと12FDX立ち上げへ:
EUVと液浸、FinFETとFD-SOI、GFの強みは2点張り
2017年5月31日、来日したGLOBALFOUNDRIES(グローバルファウンドリーズ/GF)CMOSプラットフォーム事業部シニアバイスプレジデントのGregg Bartlett氏に7nm FinFET、12nm FD-SOIの開発状況などについてインタビューした。(2017/6/1)

「MBCFET」を製造:
Samsung、2020年に4nmのリスク生産を開始
Samsung Electronicsは、ファウンドリー技術のロードマップを発表した。2020年に4nmプロセスを用いて、同社独自の「MBCFET(Multi Bridge Channel FET)」のリスク生産を開始する予定だという。(2017/5/29)

この10年で起こったこと、次の10年で起こること(15):
TSMCの1強時代に幕? “2ファブ・オペレーション”が可能になった14/16nm世代
今回は昨今、発表が相次いでいる新しいGPUのチップ解剖から見えてくる微細プロセス、製造工場(ファブ)の事情を紹介する。チップ解剖したのはNVIDIAの新世代GPUアーキテクチャ「Pascal」ベースのGPUと、ゲーム機「PlayStation 4 Pro」にも搭載されているAMDのGPUだ。(2017/4/25)

ウエハー処理数は125枚/時間:
ASML、2018年にEUV装置を20台以上出荷予定
ASMLは、2018年にEUV(極端紫外線)リソグラフィ装置を20〜24台出荷する計画だという。何度も延期を重ねながら開発を進め、ようやく出荷のメドが立ったようだ。(2017/4/24)

競合に対する優位性を示す?:
Intelが10nmプロセスの詳細を明らかに
Intelは2017年に10nmチップ製造を開始する予定だ。さらに、22nmの低電力FinFET(FinFET low power、以下22nm FFL)プロセスも発表した。GLOBALFOUNDRIESなどが手掛けるFD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)に真っ向から挑み、ファウンドリービジネスで競い合う。(2017/4/4)

FD-SOIを意識:
TSMCが7nmなど最新プロセスの開発状況を報告(前編)
TSMCは2017年3月15日(米国時間)にカリフォルニア州で開催したイベント「TSMC Technology Symposium」で、最先端プロセスの開発状況を報告した。その発表からは、FD-SOIプロセスへの対抗心が垣間見えた。(2017/3/23)

IC Insightsが予測:
2017年の半導体設備投資費、上位11社は10億ドル超
IC Insightsの予測によると、2017年における半導体企業の設備投資額は732億米ドルで、上位11社はそれぞれ10億米ドルを超える投資を行うという。中でもIntel、GLOBALFOUNDRIES、STMicroelectronicsの増額率は、それぞれ前年比で25%増、33%増、73%増と、大幅な増額を見込んでいる。(2017/3/7)

SPIE Advanced Lithography 2017:
ASML、EUVリソグラフィ開発を加速
半導体リソグラフィ技術に関する国際会議「SPIE Advanced Lithography 2017」において、ASMLがEUV(極端紫外線)スキャナーを発表した。(2017/3/3)



ビットコインの大暴騰、「億り人」と呼ばれる仮想通貨長者の誕生、マウントゴックス以来の大事件となったNEM流出など、派手な話題に事欠かない。世界各国政府も対応に手を焼いているようだが、中には政府が公式に仮想通貨を発行する動きも出てきており、国家と通貨の関係性にも大きな変化が起こりつつある。

Amazonが先鞭をつけたAIスピーカープラットフォーム。スマホのアプリが巨大な市場を成したように、スマートスピーカー向けのスキル/アプリ、関連機器についても、大きな市場が生まれる可能性がある。ガジェットフリークのものと思われがちだが、画面とにらめっこが必要なスマホよりも優しいUIであり、子どもやシニアにもなじみやすいようだ。

「若者のテレビ離れが進んでいる」と言われるが、子どもが将来なりたい職業としてYouTuberがランクインする時代になった。Twitter上でのトレンドトピックがテレビから大きな影響を受けていることからも、マスメディア代表としてのテレビの地位はまだまだ盤石に感じるが、テレビよりもYouTubeを好む今の子ども達が大きくなっていくにつけ、少なくとも誰もが同じ情報に触れることは少なくなっていくのだろう。

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