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「ASML」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「ASML」に関する情報が集まったページです。

組み込み開発ニュース:
TSMCは2020年に5nmプロセスを量産、自動車向けロードマップも示す
TSMCは2019年6月28日、横浜市内で記者会見を開催し、同社半導体ファウンドリビジネスの概況やプロセス技術開発への取り組みなどを説明した。世界最大の専業ファウンドリである同社の収益は既に7nmプロセス(N7)がけん引役となっており、2020年から5nmプロセス(N5)を採用したチップの量産開始を予定する。(2019/7/2)

半導体ロードマップの展望:
3nm止まりか1nmか、微細化はレジスト開発が鍵
半導体リソグラフィ技術に関する国際会議「SPIE Advanced Lithography 2019」で行われたパネルセッションの中で、エンジニアたちは、「半導体ロードマップはこの先、10年間延長して1nmプロセスまで実現できる可能性もあれば、新しいレジスト材の不足によって、3nmプロセスで行き詰まる可能性もある」と、希望や不安について語った。(2019/3/5)

IHSアナリスト「未来展望」(13) 2019年の半導体業界を読む(1):
相当厳しい2019年前半、米中摩擦激化も
2018年、過去最高の売上高を記録した半導体市場。一方で、米中間では貿易摩擦が勃発し、その影響は半導体業界にも及んでいる。2019年のエレクトロニクス業界はどうなるのかを、IHSマークイットのアナリスト4人が予測する。まずは、2019年の業界全体について取り上げる。(2019/1/18)

MONOist 2019年展望:
製造業のデジタル変革は第2幕へ、「モノ+サービス」ビジネスをどう始動させるか
製造業のデジタル変革への動きは2018年も大きく進展した。しかし、それらは主に工場領域での動きが中心だった。ただ、工場だけで考えていては、デジタル化の価値は限定的なものにとどまる。2019年は製造業のデジタルサービス展開がいよいよ本格化する。(2019/1/7)

FA 年間ランキング2018:
敗れた半導体露光機、予兆保全、そしてスマート工場、いろいろ捗った2018年
2018年に公開したMONOist FAフォーラムの記事をランキング形式で振り返る。公開記事の1年間分のデータを集計した上位記事とそこから見えるFA業界の状況について紹介する。特徴的なのはスマート工場の事例が大きく増えてきたことだ。(2018/12/28)

野村証券和田木哲哉氏×SEMIジャパン浜島氏:
アンテナを高く張れ! 半導体製造装置材料業界がスーパーサイクルを勝ち抜くために
野村証券アナリストの和田木哲哉氏と、半導体製造装置/材料の業界団体SEMIの日本代表(SEMIジャパン社長)を務める浜島雅彦氏に、これからの半導体市況、そして、半導体製造装置/材料業界に求められることなどを聞いた。(2018/12/6)

湯之上隆のナノフォーカス(5) ドライエッチング技術のイノベーション史(5):
最先端のドライエッチング技術−マルチ・パターニングとHARC−
今回は、最先端のドライエッチング技術として、マルチ・パターニングとHARC(High Aspect Ratio Contact)について解説する。(2018/11/6)

半導体開発だけではない:
製造装置の国産化を加速する中国
「中国製造2025」の一環として半導体産業の強化を掲げる中国。今、中国国内には巨大な半導体製造工場が立ち上がりつつある。半導体製造装置については日米欧の寡占状態にあるが、中国は製造装置の内製化も進めようとしている。中国による製造装置の国産化は、どの程度まで進んでいるのか。(2018/8/9)

2018年には20台:
ASML、EUVシステムを2019年に30台出荷する見通し
ASMLが2018年7月18日(オランダ時間)に発表したところによると、同社は2018年に20台のEUV(極端紫外線)露光システムを、2019年には少なくとも30台を出荷する予定だという。(2018/7/24)

Samsungは2018年内にも適用開始:
量産に向けた「EUV」の導入、最終段階へ
次世代のリソグラフィ技術を立ち上げようとする20年に及ぶ努力が、最終段階に入った。EUV(極端紫外線)ステッパーを量産向けに導入することについて、複雑な課題があるにもかかわらず、専門家らは楽観的な見方を維持している。(2018/6/1)

18年後半にはEUV適用の7nmも:
Samsung、3nm「GAA FET」の量産を2021年内に開始か
Samsung Electronicsは、米国カリフォルニア州サンタクララで2018年5月22日(現地時間)に開催したファウンドリー技術の年次フォーラムで、FinFETの後継アーキテクチャとされるGAA(Gate All Around)トランジスタを2021年に3nmノードで量産する計画を発表した。(2018/5/25)

新パッケージング技術の開発も:
TSMCがロードマップを発表、EUV導入は19年前半
TSMCは、7nmプロセスの量産を開始し、さらにEUV(極端紫外線)リソグラフィを導入したバージョンの生産を2019年前半にも開始する計画も発表した。さらに、同社は5nmノードに関する計画も明らかにした。(2018/5/10)

レジストにも課題が:
EUV、5nm付近でランダム欠陥 imecが報告
EUV(極端紫外線)リソグラフィの5nmプロセスで、ランダム欠陥が発生することを、imecの研究者が報告した。(2018/3/5)

モノづくり最前線レポート:
半導体露光機で日系メーカーはなぜASMLに敗れたのか
法政大学イノベーション・マネジメント研究センターのシンポジウム「海外のジャイアントに学ぶビジネス・エコシステム」では、日本における電子半導体産業の未来を考えるシンポジウム「海外のジャイアントに学ぶビジネス・エコシステム」を開催。半導体露光機業界で日系企業がオランダのASMLに敗れた背景や理由について解説した。(2018/3/2)

250Wの光源は実現しているが……:
EUVの実用化、レジストが最大の課題か
EUV(極端紫外線)リソグラフィの実用化の目標を2018年に据えている半導体メーカーもある。250Wの光源など、これまでの課題が1つ1つ解決されている印象はあるが、今後の大きな課題の1つはレジストとなりそうだ。(2018/2/22)

ファウンドリー各社の動向:
7nmプロセスの開発が加速、EUVの導入も現実的に
ファウンドリー各社が7nmプロセスの開発を加速している。さらに、半導体製造装置メーカーのASMLもEUV(極端紫外線)リソグラフィシステムの開発を順調に進めている。(2018/1/29)

TSMCの創立30周年記念式典で:
「半導体の可能性を強く信じる」 AppleのCOO
TSMCの創立30周年記念式典で、Apple COO(最高執行責任者)であるJeff Williams氏が、TSMCとのパートナーシップや、半導体業界の今後の10年などについて語った。同氏は、半導体の可能性を強く信じていると強調した。(2017/10/27)

SamsungとTSMCは導入へ向け加速:
IntelはEUV競争を静観か、導入時期は明言避ける
EUV(極端紫外線)リソグラフィの開発、導入をめぐって競争を続けてきたIntel、Samsung Electronics、TSMCだが、ここのところIntelは、1歩引いて静観しているようだ。(2017/10/12)

数年前から大きく変化:
EUVの量産適用、半導体業界は前向きな見方
業界団体eBeam Initiativeの調査によると、EUV(極端紫外線)リソグラフィの実用化に対する業界の見方は、だいぶ前向きになっているようだ。(2017/9/14)

ASMLが「SEMICON West」でデモ:
EUVが実現間近か、250Wの光源を達成
ASMLが、「SEMICON West 2017」で、250WのEUV(極端紫外線)光源を用いたデモを披露した。EUVリソグラフィ用を商用化するには、250Wの光源が1つのマイルストーンとされているため、実際の量産ラインでの実用化は間近かもしれないという期待が膨らむ。(2017/7/20)

企業動向を振り返る 2017年5月版:
「iPhone10周年」を控える中、足元にくすぶる火種
過去1カ月間のエレクトロニクス関連企業の動向をピックアップしてお届けする「企業動向を振り返る」。5月は各社より決算が発表されましたが、明暗は分かれたようです。iPhoneを巡る、AppleとQualcommの訴訟は「10周年モデル」の登場前に解決するのでしょうか。(2017/6/23)

14オングストロームプロセス!?:
IMECの半導体ロードマップ展望
IMECのプロセス技術関連のベテラン専門家であるAn Steegen氏が、2017年の半導体ロードマップを発表し、半導体プロセスの微細化に対し楽観的な見方を示した。(2017/5/24)

2001年に続き2度目:
ニコンとASML、半導体露光装置で特許係争
ニコンは2017年4月24日、半導体露光技術に関して特許の侵害があるとして、ASMLと、ASMLのサプライヤーであるCarl Zeissを提訴した。この発表の直後となる4月28日(オランダ時間)、ASMLは特許侵害を強く否定し、ニコンに対して対抗訴訟を起こすと発表した。(2017/5/2)

ウエハー処理数は125枚/時間:
ASML、2018年にEUV装置を20台以上出荷予定
ASMLは、2018年にEUV(極端紫外線)リソグラフィ装置を20〜24台出荷する計画だという。何度も延期を重ねながら開発を進め、ようやく出荷のメドが立ったようだ。(2017/4/24)

SPIE Advanced Lithography 2017:
ASML、EUVリソグラフィ開発を加速
半導体リソグラフィ技術に関する国際会議「SPIE Advanced Lithography 2017」において、ASMLがEUV(極端紫外線)スキャナーを発表した。(2017/3/3)

長く曲がりくねった道のり:
EUVリソグラフィ開発、進展するも課題は山積み
米国で半導体リソグラフィ技術の国際会議「SPIE Advanced Lithography 2017」が開催中だ。IntelやSamsung Electronics、imecなどが発表した論文からは、EUV(極端紫外線)リソグラフィ技術が、大きく進展しつつも課題はまだ山積みであり、より一層開発を加速する必要のある部分もあることが明らかになっている。(2017/3/2)

電子ブックレット:
2020年、5nm世代でEUV時代が到来か
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、ASMLのEUV(極端紫外線)に関わる展望について紹介します。(2016/12/12)

IEDM 2016:
進む7nmプロセスの開発、TSMCとIBMが成果を発表
米サンフランシスコで開催された「IEDM 2016」では、TSMCとIBMがそれぞれ最新プロセス技術について発表し、会場を大いに沸かせたようだ。(2016/12/8)

2024年量産開始を目指して:
ASML、次世代EUV装置に19億米ドルを投資
半導体製造装置メーカーのASMLは、2017年出荷予定の第1世代EUV(極端紫外線)リソグラフィ装置の後継となる次世代EUV装置の開発計画を明らかにした。2024年ごろの量産を目指し、約19億米ドルの投資を行うという。(2016/11/10)

福田昭のデバイス通信(89):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(JSR Micro編)
大手レジストベンダーJSR Microの講演では、主に同社とimecの共同開発の内容が発表された。その1つが、JSR MicroのEUV(極端紫外線)レジストをimec所有のEUV露光装置で評価するというもので、化学増幅型のEUVレジストによってハーフピッチ13nmの平行直線パターンを解像できたという。さらに、5nm世代のEUVリソグラフィの目標仕様と現状も紹介された。(2016/9/21)

福田昭のデバイス通信(88):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(ASML編)
「SEMICON West 2016」で行われた次世代のリソグラフィ技術を展望するフォーラムから、各露光装置メーカーの講演内容を紹介してきた。今回は、半導体露光装置最大手であるASMLのEUV(極端紫外線)リソグラフィ開発状況を中心に紹介する。(2016/9/14)

福田昭のデバイス通信(85):
「SEMICON West 2016」、半導体露光技術の進化を振り返る(完結編その2)
KrFスキャナーの次に登場したのがArFスキャナーである。ArFスキャナーは90nm世代の量産から使われ始めた。さらに、ArFスキャナーの製品化と並行して「ポストArF」の開発が活発化する。ポストArFとして、F2エキシマレーザーあるいは軟X線を光源とする露光技術の開発が進んだが、そこに、もう1つの候補として急浮上したのがArF「液浸」スキャナーである。(2016/8/30)

福田昭のデバイス通信(84):
「SEMICON West 2016」、半導体露光技術の進化を振り返る(完結編その1)
今回は、半導体露光技術の歴史の完結編(その1)をお届けする。1996年ごろに本格的に導入され始めたKrFステッパーだが、既に2つの課題が浮上していた。光学系の開口数(N.A.)の向上の限界と、シリコンダイが大きくなり過ぎていたことだ。これらを解決する手段として登場したのが「スキャナー」である。(2016/8/23)

EE Times Japan Weekly Top10:
「TV事業に固執する日本メーカー」に多くの同意
EE Times Japanで2016年8月5〜12日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/8/13)

まだまだ光源に開発余地残るが:
2020年、5nm世代でEUV時代が到来か
ASMLは2016年4〜6月にEUV(極端紫外線)リソグラフィ装置を4台受注し、2017年には12台を販売する計画を明かした。これを受けて業界では、EUV装置によるチップ量産が、5nmプロセス世代での製造が見込まれる2020年に「始まるかも」との期待感が広がっている。(2016/7/26)

「ITF 2016」で語られた半導体の未来(2):
EUVは、微細化の“万能策”ではない
半導体製造プロセスの微細化を進めるには、EUV(極端紫外線)リソグラフィーが鍵になるといわれている。ばく大な資金が、同技術の開発に投入されているが、その進捗は必ずしも期待通り、予定通りではないようだ。(2016/6/9)

Applied Materialsが首位を維持:
半導体製造装置メーカー売上高ランキング――2015年
Gartnerの発表によると、2015年における前工程用半導体装置の売上高は336億米ドルで、前年比1%減だった。売上高上位10社でトップに立ったのは2014年に引き続き、Applied Materialsで、前年比24.7%増と大きく売り上げを伸ばしたLam Researchが2位に続いた。(2016/4/13)

実用化に向け加速:
GLOBALFOUNDRIESと米大学、EUVに5億ドル投入
EUV(極端紫外線)リソグラフィー技術の実用化が加速する可能性がある。GLOBALFOUNDRIESと米国ニューヨーク州立大学が、5億米ドルを投じて新しい研究開発センターを設立し、EUV装置の導入を進めていくという。(2016/2/12)

7nmプロセスでの実用化は可能なのか:
着実に進歩するEUV、課題は光源
EUV(極端紫外線)リソグラフィ技術は、着実に進化を遂げている。業界には、2018年ごろの実用化を望む声も多いが、当面の課題は光源の強さをどう向上するかにありそうだ。(2016/1/28)

Samsungのビルのすぐ隣に……:
Apple、Maximの半導体工場を22億円で購入
Appleが、Maxim Integratedが米国カリフォルニア州サンノゼに保有する工場を、1820万米ドル(約22億円)で購入したという。(2015/12/17)

EUVの採用は、まだ不明:
TSMCが5nmプロセス開発に着手
TSMCが5nmプロセスの開発に着手する。ただし、EUV(極端紫外線)リソグラフィを採用するかどうかは、まだ不明だ。とはいえ、193nm ArF液浸リソグラフィを適用するには、かなりの数のパターニングが必要になり、コストが膨れ上がる。(2015/12/17)

EE Times Japan Weekly Top10:
ARMをうならせた中国の無名企業
EE Times Japanで2015年8月29〜9月4日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/9/5)

SEMICON West 2015リポート(7):
ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表(4)〜次期主力機「NXE:3350B」の概要
今回は、ASMLのEUV(極端紫外線)露光装置の開発ロードマップを紹介する。次期主力機「NXE:3350B」は、16nmの解像を目標に開発が進んでいるという。「NXE:33x0」シリーズとしては、2016年には光源出力を250W、生産性を1500枚/日に向上させるなど、強気な目標を立てている。(2015/9/1)

EE Times Japan Weekly Top10:
ASMLが解説するEUVリソグラフィ
EE Times Japanで2015年8月22〜28日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/8/29)

Intelは今、何を考えているのか:
3D XPointから7nmプロセスまで――Intel CEOに聞く
2015年8月18〜20日に開催された「IDF(Intel Developer Forum) 2015」において、Intel CEOのBrian Krzanich氏にインタビューする機会を得た。新メモリ技術として注目を集めた「3D XPoint」からAltera買収まで、率直に話を聞いてみた。(2015/8/28)

SEMICON West 2015リポート(6):
ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表(3)〜EUV露光装置の開発史
今回は、EUV(極端紫外線)露光装置の開発の歴史を振り返ってみたい。ASMLが顧客向けに初めてEUV露光装置を出荷したのは2006年のことである。その後の約10年で、光源の出力やスループットはどのくらい向上しているのだろうか。(2015/8/28)

SEMICON West 2015リポート(5):
ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表(2)〜開発の進ちょく状況
本稿では、EUVリソグラフィ開発の進ちょくをお伝えする。ASMLの開発用露光装置「NXE:3300B」は、1日当たりのウエハー処理枚数が1000枚を超え、以前に比べるとかなり進化した。また、7nm世代のロジック配線を解像できるようになっている。(2015/8/26)

SEMICON West 2015リポート(4):
ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表(1)〜ArF液浸の限界
今回は、コストとパターン形成の2点について、ArF液浸とEUV(極端紫外線)リソグラフィを比べてみよう。ArF液浸では、10nm世代になるとステップ数と重ね合わせ回数が破壊的な数値に達してしまう。これがコストの大幅な上昇を招く。さらに、ArF液浸とEUVでは、10nm世代の配線パターンにも大きな差が出てくる。(2015/8/24)

業界動向:
FD-SOIの利用加速へ、欧州で専門プロジェクトが発足
CEA-Letiとそのパートナー各社が、FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ)を使ったデバイスの開発を加速するためのプロジェクト「Silicon Impulse」をスタートする。FD-SOIの開発メーカーは、アーキテクチャレベルからシステム実装まで、幅広い範囲にわたり専門家からアドバイスや提案を受けられる予定だ。(2015/6/12)

EE Times Japan Weekly Top10:
スマホ市場でAppleを引き離したサムスン
EE Times Japanで2015年5月2〜8日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/5/11)



2013年のα7発売から5年経ち、キヤノン、ニコン、パナソニック、シグマがフルサイズミラーレスを相次いで発表した。デジタルだからこそのミラーレス方式は、技術改良を積み重ねて一眼レフ方式に劣っていた点を克服してきており、高級カメラとしても勢いは明らかだ。

言葉としてもはや真新しいものではないが、半導体、デバイス、ネットワーク等のインフラが成熟し、過去の夢想であったクラウドのコンセプトが真に現実化する段階に来ている。
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これからの世の中を大きく変えるであろうテクノロジーのひとつが自動運転だろう。現状のトップランナーにはIT企業が目立ち、自動車市場/交通・輸送サービス市場を中心に激変は避けられない。日本の産業構造にも大きな影響を持つ、まさに破壊的イノベーションとなりそうだ。

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